[發明專利]一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑在審
| 申請號： | 202110368068.5 | 申請日： | 2021-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN113113323A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 馬庫斯·郎 | 申請（專利權）人： | 鑫巨（深圳）半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H05K3/06;C23F1/02;C23F1/18 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區前*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 線路板 蝕刻 方法 | ||
1.一種線路板蝕刻方法，其特征在于，包括：
獲取待進行蝕刻的線路板；
利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻，其中，所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑，所述添加劑的質量濃度為0.001％～1％。
2.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述添加劑為磺基琥鉑酸鹽添加劑。
3.根據權利要求2所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述磺基琥鉑酸鹽添加劑為磺基琥鉑酸脂添加劑。
4.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述基礎蝕刻劑為酸性蝕刻劑。
5.根據權利要求4所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述基礎蝕刻劑的pH值為0～6。
6.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻，包括：
利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行噴淋蝕刻。
7.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻，還包括：
將所述蝕刻劑的蝕刻速率設置為0.1μm/s～1μm/s。
8.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻，還包括：
將蝕刻溫度設置為30℃～60℃。
9.根據權利要求1所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方法的蝕刻密度為100g/l銅～250g/l銅。
10.一種蝕刻劑，適用于如權利要求1～9任一項所述的線路板蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑，所述添加劑的質量濃度為0.001％～1％。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鑫巨（深圳）半導體科技有限公司，未經鑫巨（深圳）半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110368068.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
