[發明專利]一種外延膜生長設備及分離方法在審
申請號: | 202110362396.4 | 申請日: | 2021-04-02 |
公開(公告)號: | CN112967958A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
發明(設計)人: | 王會會;林保璋;金補哲;田才忠 | 申請(專利權)人: | 盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F16B33/06;F16B35/00 |
代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 倪鑫萍;謝緒寧 |
地址: | 315100 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 外延 生長 設備 分離 方法 | ||
本發明公開了一種外延膜生長設備及分離方法,在外延膜生長設備的金屬夾環與金屬基板之間,設置分離銷裝置,分離銷包括至少兩個帶有螺絲的連接件,連接件貫穿金屬夾環,連接件的頂端抵接在金屬基板表面,利用分離銷的反向力,分離金屬夾環與石英件,在金屬夾環與石英件分離后,移動金屬夾環,實現金屬夾環與石英件的安全分離,減少損壞石英件的幾率。
技術領域
本發明涉及芯片制造技術領域,尤其是涉及一種外延膜生長設備及分離方法。
背景技術
目前,芯片制造技術飛速發展,其中,外延生長技術發展于50年代末60年代初,為了制造高頻大功率器件,需要減小集電極串聯電阻,又要求材料能耐高壓和大電流,因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層,這時外延設備便應運而生。在對外延機臺進行保養或者維修的時候,難免會碰到要打開三十多公斤的金屬環或者金屬盤,而這些金屬重物通過上密封圈與石英件連在一起的,石英件再通過下密封圈與金屬基板連接,金屬環或金屬盤與金屬基板之間的間距小于1mm,在金屬環或金屬盤上設置有8個螺絲,用于連接金屬環與金屬基板,或金屬盤與金屬基板。
在松開8個螺絲后,如果手動開啟金屬環或金屬盤,力量控制不好,會碰到下面的石英圓盤,造成石英件損壞。
因此,設計一種能夠相對輕松地分離金屬重物與石英件的外延膜生長設備,是目前亟待解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種外延膜生長設備及分離方法,在外延膜生長設備的金屬夾環與金屬基板之間,設置分離銷裝置,分離銷包括至少兩個帶有螺絲的連接件,連接件貫穿金屬夾環,連接件的頂端抵接在金屬基板表面,利用分離銷的反向力,分離金屬夾環與石英件,在金屬夾環與石英件分離后,移動金屬夾環,實現金屬夾環與石英件的安全分離,減少損壞石英件的幾率。
第一方面,本發明的上述發明目的通過以下技術方案得以實現:
一種外延膜生長設備,包括從上到下依次放置的金屬夾環、上石英圓盤、金屬基板,在上石英圓盤邊沿的上表面與下表面,分別設置密封裝置,用于上石英圓盤與上金屬夾環或金屬基板之間密封,還包括分離銷裝置,分離銷裝置設置在上金屬夾環上,用于將上金屬夾環整體與上石英圓盤整體分離。
本發明進一步設置為:分離銷裝置包括帶有螺紋的連接件,所述連接件上設置有螺紋,在上金屬夾環上設置內壁帶有螺紋的貫穿孔,貫穿孔內的螺紋與連接件上的螺紋匹配,貫穿孔的位置位于上石英圓盤的外側,連接件的頂端穿過貫穿孔抵接到金屬基板的上表面,用于在連接件轉動時,帶動金屬夾環上下移動。
本發明進一步設置為:在上金屬夾環上均勻設置至少兩個貫穿孔,在各貫穿孔處分別設置分離銷裝置,在各貫穿孔中設置分離銷裝置。
本發明進一步設置為:在上金屬夾環的同一直徑的兩端,分別設置一個貫穿孔,在各貫穿孔中設置分離銷裝置。
本發明進一步設置為:在上金屬夾環的相互垂直的兩個直徑,在每個直徑的兩端,分別設置一個貫穿孔,在各貫穿孔中設置分離銷裝置。
本發明進一步設置為:在連接件頂端表面或連接件全部表面上設置韌性外衣,用于防止連接件磨損金屬基板表面。
本發明進一步設置為:所述韌性外衣材料為聚四氟乙烯,以涂覆方式設置在連接件頂端部位表面或連接件全部表面。
本發明進一步設置為:連接件采用平頭螺絲。
第二方面,本發明的上述發明目的通過以下技術方案得以實現:
一種外延膜生長設備的分離方法,先將位于金屬夾環同一直徑上的第一連接件、第二連接件,分別沿同一方向轉動相同角度;再選擇與前一直徑垂直的另一直徑上的第三連接件及第四連接件,分別沿同一方向轉動相同角度,重復轉動各連接件,直至將金屬夾環整體與上石英圓盤整體分離。
與現有技術相比,本申請的有益技術效果為:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造