[發明專利]一種外延膜生長設備及分離方法在審
申請號: | 202110362396.4 | 申請日: | 2021-04-02 |
公開(公告)號: | CN112967958A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
發明(設計)人: | 王會會;林保璋;金補哲;田才忠 | 申請(專利權)人: | 盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F16B33/06;F16B35/00 |
代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 倪鑫萍;謝緒寧 |
地址: | 315100 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 外延 生長 設備 分離 方法 | ||
1.一種外延膜生長設備,包括從上到下依次放置的上金屬夾環、上石英圓盤、金屬基板,在上石英圓盤邊沿與上金屬夾環之間設置上密封裝置,在上石英圓盤邊沿與金屬基板之間設置下密封裝置,用于上石英圓盤與上金屬夾環或金屬基板之間密封,其特征在于:還包括分離銷裝置,分離銷裝置設置在上金屬夾環上,用于將上金屬夾環整體與上石英圓盤整體分離。
2.根據權利要求1所述外延膜生長設備,其特征在于:分離銷裝置包括帶有螺紋的連接件,所述連接件表面設置有螺紋,在上金屬夾環上設置內壁帶有螺紋的貫穿孔,貫穿孔內的螺紋與連接件上的螺紋匹配,貫穿孔的位置位于上石英圓盤的外側,連接件的頂端穿過貫穿孔抵接到金屬基板的上表面,用于在連接件轉動時,帶動上金屬夾環上下移動。
3.根據權利要求2所述外延膜生長設備,其特征在于:在上金屬夾環上均勻設置至少兩個貫穿孔,在各貫穿孔處分別設置分離銷裝置。
4.根據權利要求3所述外延膜生長設備,其特征在于:在上金屬夾環的同一直徑的兩端,分別設置一個貫穿孔,在各貫穿孔中設置分離銷裝置。
5.根據權利要求4所述外延膜生長設備,其特征在于:在上金屬夾環相互垂直的兩個直徑,在每個直徑的兩端,分別設置一個貫穿孔,在各貫穿孔中設置分離銷裝置。
6.根據權利要求2所述外延膜生長設備,其特征在于:在連接件頂端部位表面或連接件表面上設置韌性外衣,用于防止連接件磨損金屬基板表面。
7.根據權利要求6所述外延膜生長設備,其特征在于:所述韌性外衣的材料為聚四氟乙烯,以涂覆方式設置在連接件頂端部位表面或連接件表面。
8.根據權利要求2所述外延膜生長設備,其特征在于:連接件采用平頭螺絲。
9.一種外延膜生長設備的分離方法,其特征在于:先將位于上金屬夾環同一直徑上的第一連接件、第二連接件,分別沿同一方向轉動相同角度;再選擇與前一直徑垂直的另一直徑上的第三連接件及第四連接件,分別沿同一方向轉動相同角度,重復轉動各連接件,直至將上金屬夾環整體與上石英圓盤整體分離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造