[發明專利]曝光對準的補償方法及補償系統有效
申請號: | 202110362010.X | 申請日: | 2021-04-02 |
公開(公告)號: | CN113093485B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
發明(設計)人: | 張勝安;趙磊 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 曝光 對準 補償 方法 系統 | ||
本發明涉及一種曝光對準的補償方法及補償系統,包括:獲取對準圖形的原始數據;對所述原始數據進行一階處理,以得到一階求導數據;在所述曝光對準存在偏差時,基于所述原始數據及所述一階求導數據得到補償值;基于所述補償值對曝光對準進行補償。本發明的曝光對準的補償方法通過對原始數據進行一階處理得到一階求導數據,再基于原始數據和一階求導數據得到補償值對曝光對準進行補償,補償精度較高,可以優化曝光對準的精確度。
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,特別是涉及一種曝光對準的補償方法及補償系統。
背景技術
隨著半導體工藝的不斷發展,精細圖形的制備需要較高的曝光對準精度;然而,目前的曝光設備廠商都有相應的指數來反映對準圖形的圖像強度,但對于工藝制程例如刻蝕、化學機械研磨等導致的對準圖形形變的監控及形變后如何進行補償修正并沒有相應的技術,從而使得現有的曝光對準精度較低。
發明內容
基于此,有必要針對上述問題,提供一種曝光對準的補償方法及補償系統,以解決現有技術中無法對對準圖形是否存在形變及形變后如何進行補償修正而導致的曝光對準精度較低的問題。
本申請提供一種曝光對準的補償方法,包括:
獲取對準圖形的原始數據;
對所述原始數據進行求導處理,以得到求導數據;
在所述曝光對準存在偏差時,基于所述原始數據及所述求導數據得到補償值;
基于所述補償值對曝光對準進行補償。
在一個可選的實施例中,所述對準圖形各點的所述原始數據及各點的所述求導數據均為矢量。
在一個可選的實施例中,所述基于所述原始數據及所述求導數據得到補償值包括:
將所述原始數據拆分為X分量及Y分量,以得到第一數據;
將所述求導數據拆分為X方向的分量及Y方向的分量,以得到第二數據;
基于所述第一數據及所述第二數據得到所述補償值。
在一個可選的實施例中,所述對所述原始數據進行求導處理,以得到求導數據包括:對所述原始數據進行一階求導,得到一階求導數據作為所述求導數據;所述第一數據包括:所述原始數據在X方向的平移量TRX、所述原始數據在Y方向的平移量TRY、所述原始數據的旋轉量GRX、所述原始數據的正交量NOGR、所述原始數據在X方向的放大量GMX、所述原始數據在Y方向的放大量GMY、所述原始數據在以晶圓的中心為原點的坐標系中X方向的坐標量CFX及所述原始數據在以晶圓的中心為原點的坐標系中Y方向的坐標量CFY;所述第二數據包括:所述一階求導數據在X方向的平移量TRX’、所述一階求導數據在Y方向的平移量TRY’、所述一階求導數據的旋轉量GRX’、所述一階求導數據的正交量NOGR’、所述一階求導數據在X方向的放大量GMX’、所述一階求導數據在Y方向的放大量GMY’、所述一階求導數據在以晶圓的中心為原點的坐標系中X方向的坐標量CFX’及所述一階求導數據在以晶圓的中心為原點的坐標系中Y方向的坐標量CFY’;所述基于所述第一數據及所述第二數據得到所述補償值包括:基于如下公式分別得到所述原始數據在X方向的偏移量Shift X、所述原始數據在Y方向的偏移量Shift Y、所述一階求導數據在X方向的偏移量Shift X’及所述一階求導數據在Y方向的偏移量Shift Y’:
Shift_X=(TRX)+(-GRX*CFY)+(-NOGR*CFY)+(GMX*CFX);
Shift_Y=(TRY)+(GRX*CFX)+(GMY*CFY);
Shift_X’=(TRX’)+(-GRX’*CFY’)+(-NOGR’*CFY’)+(GMX’*CFX’);
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