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[發(fā)明專利]電子器件封裝件和制造電子器件封裝件的方法在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 202110361342.6 申請日: 2021-04-02
公開(公告)號: CN114068495A 公開(公告)日: 2022-02-18
發(fā)明(設(shè)計)人: 洪錫潤;樸書賢;權(quán)赫基;樸漢洙 申請(專利權(quán))人: 三星電機株式會社
主分類號: H01L23/552 分類號: H01L23/552
代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 代理人: 劉力夫;何巨
地址: 韓國京畿*** 國省代碼: 暫無信息
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 電子器件 封裝 制造 方法
【說明書】:

本公開提供一種電子器件封裝件和制造電子器件封裝件的方法,所述電子器件封裝件包括:板,包括第一層和第二層,并且在所述第一層和所述第二層之間形成有臺階部,所述板具有位于所述第一層上的第一表面和與所述第一表面背對的位于所述第二層上的第二表面;電子器件,安裝在所述第一表面上;天線層,形成在所述第二層中或所述第二層上;模制部,形成為覆蓋所述第一表面上的所述電子器件;以及導電膜,形成為覆蓋所述模制部的表面和所述第一層的側(cè)表面,并且包括位于所述臺階部處的端部。

技術(shù)領(lǐng)域

以下描述涉及將電子器件安裝在板上的封裝件,以及這種封裝件的制造方法。

背景技術(shù)

隨著智能裝置的發(fā)展,電子產(chǎn)品市場中對個人產(chǎn)品和便攜式產(chǎn)品的需求迅速增加。為了在改善智能裝置的功能和性能的同時增強智能裝置的便攜性,需要不斷減小嵌入在智能裝置的系統(tǒng)中的電子器件的尺寸和重量。

為了實現(xiàn)電子器件的小型化和重量減輕,隨著減小安裝在電子器件中的組件的單獨尺寸的技術(shù)發(fā)展,已經(jīng)開發(fā)了將多個單獨組件集成到單個電子器件中的技術(shù)。例如,片上系統(tǒng)(SoC)是集成在一個集成電路中的計算機或電池系統(tǒng)組件,并且系統(tǒng)級封裝(SIP)是能夠通過將由單獨芯片形成的多個電路實現(xiàn)到單個封裝件中來實現(xiàn)輕量和小尺寸的技術(shù)。

除了小型化的問題之外,處理高頻信號的高頻電子器件封裝件(諸如通信模塊或網(wǎng)絡(luò)模塊)可能導致電磁問題,諸如高頻電子器件封裝件中的各個組件之間或各個高頻電子器件封裝件之間的電磁干擾(EMI)或不良電磁兼容性(EMC)。因此,需要提供各種電磁屏蔽結(jié)構(gòu),以便實現(xiàn)針對電磁問題(EMI和EMC)的優(yōu)異屏蔽特性。

然而,在設(shè)置有天線的封裝件中,如果天線層也覆蓋有電磁屏蔽膜,封裝件的性能可能劣化。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容是為了以簡化的形式介紹所選擇的構(gòu)思,并在下面的具體實施方式中進一步描述這些構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容無意確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征,也無意用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總體方面中,一種電子器件封裝件包括:板,包括第一層和第二層,并在所述第一層和所述第二層之間形成有臺階部,所述板具有位于所述第一層上的第一表面和與所述第一表面背對的位于所述第二層上的第二表面;電子器件,安裝在所述第一表面上;天線層,形成在所述第二層中或所述第二層上;模制部,形成為覆蓋所述第一表面上的所述電子器件;以及導電膜,形成為覆蓋所述模制部的表面和所述第一層的側(cè)表面,并且包括位于所述臺階部處的端部。

所述臺階部可通過所述第二層的側(cè)表面在平行于所述第一表面的方向上凸出超過所述第一層的所述側(cè)表面而形成。

所述臺階部可包括將所述第一層的所述側(cè)表面連接到所述第二層的所述側(cè)表面的彎曲表面。

所述臺階部可在所述板的其上形成有所述導電膜的側(cè)表面上沿著外周延伸。

所述臺階部可形成在所述板的沿著所述板的外周彼此相鄰設(shè)置并且其上形成有所述導電膜的至少三個側(cè)表面上。

所述板還可包括芯絕緣層作為中間層。所述臺階部可設(shè)置在所述芯絕緣層的側(cè)表面上。

所述芯絕緣層可位于所述第一層和所述第二層上。

所述導電膜的端部可設(shè)置在所述臺階部的形成在所述芯絕緣層的所述側(cè)表面上的部分上。

所述導電膜可不形成在所述第二層的側(cè)表面上。

所述天線層可設(shè)置在所述板的所述第二表面上。

所述電子器件可包括由所述模制部覆蓋的第一組件和設(shè)置在所述模制部外部的第二組件。屏蔽壁設(shè)置在所述第一組件和所述第二組件之間。所述導電膜可形成在所述模制部的覆蓋所述第一組件的表面的部分上。所述屏蔽壁可形成所述導電膜的邊界。

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