[發明專利]一種噪聲濾波電路及低壓差線性穩壓器

有效

• 申請號: 202110360974.0
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113126685B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 徐華超;胡勝發
• 申請（專利權）人: 廣州安凱微電子股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種噪聲濾波電路及低壓差線性穩壓器，涉及集成電路技術領域。低壓差線性穩壓器中，電阻反饋網絡會將基準電壓源的噪聲直接放大，如果將放大電路置于噪聲濾波電路之前，則可以很大程度上降低低壓差線性穩壓器的輸出噪聲。本發明將所述噪聲濾波電路接入所述低壓差線性穩壓器中，反饋網絡將基準電壓源的噪聲直接放大，因此第一電阻與第二電阻的比值為0，即反饋系數為1，若噪聲濾波電路已經將基準的噪聲完全濾除，則穩壓器的輸出噪聲中僅包含誤差放大器的等效輸入噪聲。本發明提供的噪聲濾波電路在不增加芯片管腳基礎上，大大減小了經過噪聲濾波電路后的基準電壓的上電時間，同時滿足電路中關鍵模塊對低噪聲和快速啟動的需求。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種噪聲濾波電路及低壓差線性穩壓器。

背景技術

低壓差線性穩壓器(LDO)是模擬射頻電路的基本模塊之一，為其它模塊提供與溫度、電源、負載幾乎無關的基準電源。大部分電路，如振蕩器，鎖相環、數據轉換器等都對基準電源的噪聲較為敏感，因此低噪聲LDO是高性能電路系統的必要組成部分。

LDO包括基準電壓源、誤差放大器、電阻反饋網絡R_F1和R_F2和功率MOS管M_P。LDO的輸出噪聲主要由基準電壓源貢獻，另一小部分由誤差放大器貢獻，反饋網絡會放大誤差放大器和基準電壓源的噪聲。假設基準電壓源的輸出噪聲功率譜密度為V_nBG²，誤差放大器的等效輸入噪聲的功率譜密度為V_nEA²，則LDO的輸出噪聲功率譜密度為V_LDO²＝(V_nBG²+V_nEA²)(1+R_F1/R_F2)²。

現有技術中，為了降低LDO的輸出噪聲一般會將電容外置以獲得較低的截止頻率，或者采用片上電容加片上電阻的方式來構造低通濾波器。但是將電容外置會多消耗芯片一個引腳，浪費芯片資源，且會引起上電時間過長，而采用片上電容加片上電阻的方式雖然可以避免額外消耗芯片一個引腳，但是該結構面積過大，且也會引起上電時間過長。

發明內容

本發明目的在于，提供一種噪聲濾波電路及低壓差線性穩壓器，以實現在不增加芯片管腳基礎上，大大減小經過噪聲濾波電路后的基準電壓的上電時間，同時滿足電路中關鍵模塊對低噪聲和快速啟動的需求。

為實現上述目的，本發明實施例提供一種噪聲濾波電路，所述噪聲濾波電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一電容和第二電容；