[發(fā)明專利]一種噪聲濾波電路及低壓差線性穩(wěn)壓器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110360974.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113126685B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐華超;胡勝發(fā) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州安凱微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/56 | 分類號(hào): | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510555 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 噪聲 濾波 電路 低壓 線性 穩(wěn)壓器 | ||
1.一種噪聲濾波電路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一電容和第二電容;
所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源端及體端均與電源連接;
所述第一PMOS管的柵端和漏端短接,且所述第一PMOS管的柵端和漏端短接節(jié)點(diǎn)與所述第二NMOS管的漏端連接;
所述第一PMOS管的柵端與所述第二PMOS管的柵端連接;
所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第六PMOS管的源端及體端均與基準(zhǔn)電壓源的輸出端連接;
所述第五PMOS管的源端與第四PMOS管的柵端與漏端的短接節(jié)點(diǎn)連接,所述第五PMOS管的體端與基準(zhǔn)電壓源的輸出端連接;
所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的源端及體端均與地或低電壓端連接;
所述第一NMOS管的柵端和漏端短接,且所述第一NMOS管的柵端和漏端短接節(jié)點(diǎn)與所述第二NMOS管的柵端及所述第四NMOS管的柵端連接;
所述第三PMOS管的漏端、所述第三NMOS管的漏端、所述第五NMOS管的柵端與第五PMOS管的柵端短接;
所述第四PMOS管的柵端和漏端短接,且所述第四PMOS管的柵端和漏端短接節(jié)點(diǎn)與所述第四NMOS管的漏端連接;
所述第四NMOS管的漏端與所述第五PMOS管的源端短接;
所述第五PMOS管的漏端、所述第六PMOS管的柵端與所述第五NMOS管的漏端短接;
所述第一電容的一端與所述第二PMOS管的漏端、所述第三PMOS管的柵端以及所述第三NMOS管的柵端相連接,所述第一電容的另一端與地或低電壓端連接;
所述第二電容的一端與第六PMOS管的漏端短接,所述第二電容的另一端與地或低電壓端連接;
所述第一電容的容量遠(yuǎn)小于所述第二電容的容量;
所述第四PMOS管的寬長(zhǎng)比遠(yuǎn)大于所述第六PMOS管的寬長(zhǎng)比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噪聲濾波電路,其特征在于,初始時(shí)所述第一電容和所述第二電容上下極板的電壓差均為0V。
3.一種低壓差線性穩(wěn)壓器,其特征在于,包括基準(zhǔn)電壓源以及如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的噪聲濾波電路;
所述基準(zhǔn)電壓源與所述噪聲濾波電路之間還包括電壓放大器;
所述電壓放大器的同相輸入端與所述基準(zhǔn)電壓源連接,并將所述電壓放大器的輸出端作為所述基準(zhǔn)電壓源的輸出端;
所述電壓放大器的反向輸入端分別通過第一電阻與所述電壓放大器的輸出端連接,通過第二電阻與地或低電壓端連接。
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