[發(fā)明專利]一種紫外LED及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110360473.2 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN113097353B | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 卓祥景;萬志;程偉;堯剛;林志偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紫外 led 及其 制作方法 | ||
本申請實(shí)施例公開了一種紫外LED及其制作方法，該紫外LED包括：基底、發(fā)光層，所述發(fā)光層包括至少一個(gè)層疊單元，所述層疊單元包括量子壘單元和量子阱單元，所述量子壘單元包括層疊的第一量子壘層、第一應(yīng)力平衡層、第二量子壘層，所述量子阱單元包括層疊的第一量子阱層、第二應(yīng)力平衡層、第二量子阱層；其中，所述第一應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子壘層和所述第二量子壘層的晶格常數(shù)，所述第二應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子阱層和所述第二量子阱層的晶格常數(shù)，能夠平衡位于所述第一量子阱層下方的所述第二量子壘層對所述第一量子阱層的壓應(yīng)力，降低所述第一量子阱層中的量子限制斯塔克效應(yīng)，提高所述紫外LED的發(fā)光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紫外LED及其制作方法。
背景技術(shù)
21世紀(jì)初，隨著LED固體光源技術(shù)的發(fā)展，紫外LED(UV LED)進(jìn)入了LED照明時(shí)代，成為了一種非常重要的紫外光光源。與傳統(tǒng)的汞燈和氙燈等氣體紫外光源相比，紫外LED具有超長壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開關(guān)次數(shù)影響、能量高、照射均勻、效率高、不含有毒物質(zhì)、環(huán)保以及能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)備小型化等強(qiáng)大的優(yōu)勢，使得人們對于紫外LED的技術(shù)研發(fā)具有濃厚的興趣，促使了紫外LED的快速發(fā)展。
并且，隨著紫外LED的發(fā)展，紫外LED的應(yīng)用場景也在不斷變化，使得人們對于紫外LED的發(fā)光效率的要求也在逐漸提高。除此之外，還由于水俁公約的生效，從2020年開始全面禁止生產(chǎn)以及進(jìn)出口含汞制品，限制了傳統(tǒng)汞燈的生產(chǎn)和使用，導(dǎo)致紫外LED作為紫外光源的需求端口進(jìn)一步擴(kuò)大，進(jìn)一步加大了人們對于高發(fā)光效率的紫外LED的需求。因此，提供一種具有較高發(fā)光效率的紫外LED成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員的研究重點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本申請實(shí)施例提供了一種紫外LED，該紫外LED具有較高的發(fā)光效率。
為解決上述問題，本申請實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：
一種紫外LED，該紫外LED包括：
基底；
位于所述基底上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括至少一個(gè)層疊單元，所述層疊單元包括層疊的量子壘單元和量子阱單元，所述量子壘單元包括層疊的第一量子壘層、第一應(yīng)力平衡層、第二量子壘層，所述量子阱單元包括層疊的第一量子阱層、第二應(yīng)力平衡層、第二量子阱層；
其中，所述第一應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子壘層的晶格常數(shù)和所述第二量子壘層的晶格常數(shù)，所述第二應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子阱層的晶格常數(shù)和所述第二量子阱層的晶格常數(shù)。
可選的，所述第一應(yīng)力平衡層的禁帶寬度小于所述第一量子壘層的禁帶寬度和所述第二量子壘層的禁帶寬度，所述第二應(yīng)力平衡層的禁帶寬度小于所述第一量子阱層的禁帶寬度和所述第二量子阱層的禁帶寬度。
可選的，所述發(fā)光層包括2～12個(gè)所述層疊單元。
可選的，所述第一應(yīng)力平衡層為InxGa1-xN層，所述第二應(yīng)力平衡層為InxGa1-xN層，其中，0x1；或，所述第一應(yīng)力平衡層為GaN層，所述第二應(yīng)力平衡層為GaN層。
可選的，所述第一應(yīng)力平衡層為空穴摻雜層。
可選的，所述第一應(yīng)力平衡層為Mg摻雜層。
可選的，所述第一應(yīng)力平衡層中的摻雜濃度的取值范圍為5E17/cm3～5E19/cm3。
一種紫外LED的制作方法，該制作方法包括：
提供一基底；
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