[發(fā)明專利]一種紫外LED及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110360473.2
• 申請(qǐng)日: 2021-04-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113097353B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卓祥景;萬(wàn)志;程偉;堯剛;林志偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門(mén)乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 尹秀

1.一種紫外LED，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括至少一個(gè)層疊單元，所述層疊單元包括層疊的量子壘單元和量子阱單元，所述量子壘單元包括層疊的第一量子壘層、第一應(yīng)力平衡層、第二量子壘層，所述量子阱單元包括層疊的第一量子阱層、第二應(yīng)力平衡層、第二量子阱層；

其中，所述第一應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子壘層的晶格常數(shù)和所述第二量子壘層的晶格常數(shù)，所述第二應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子阱層的晶格常數(shù)和所述第二量子阱層的晶格常數(shù)，以使得位于第一量子阱層下方的所述第二量子壘層對(duì)所述第一量子阱層的壓應(yīng)力能夠與位于第一量子阱層上方的所述第二應(yīng)力平衡層對(duì)所述第一量子阱層的拉應(yīng)力相平衡；

所述第一應(yīng)力平衡層為In_xGa_1-xN層，所述第二應(yīng)力平衡層為In_xGa_1-xN層，其中，0x1；或，所述第一應(yīng)力平衡層為GaN層，所述第二應(yīng)力平衡層為GaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述第一應(yīng)力平衡層的禁帶寬度小于所述第一量子壘層的禁帶寬度和所述第二量子壘層的禁帶寬度，所述第二應(yīng)力平衡層的禁帶寬度小于所述第一量子阱層的禁帶寬度和所述第二量子阱層的禁帶寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述發(fā)光層包括2～12個(gè)所述層疊單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述第一應(yīng)力平衡層為空穴摻雜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紫外LED，其特征在于，所述第一應(yīng)力平衡層為Mg摻雜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紫外LED，其特征在于，所述第一應(yīng)力平衡層中的摻雜濃度的取值范圍為5E17/cm³～5E19/cm³。

7.一種紫外LED的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層包括至少一個(gè)層疊單元，所述層疊單元包括層疊的量子壘單元和量子阱單元，所述量子壘單元包括層疊的第一量子壘層、第一應(yīng)力平衡層、第二量子壘層，所述量子阱單元包括層疊的第一量子阱層、第二應(yīng)力平衡層、第二量子阱層；

其中，所述第一應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子壘層的晶格常數(shù)和所述第二量子壘層的晶格常數(shù)，所述第二應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子阱層的晶格常數(shù)和所述第二量子阱層的晶格常數(shù)，以使得位于第一量子阱層下方的所述第二量子壘層對(duì)所述第一量子阱層的壓應(yīng)力能夠與位于第一量子阱層上方的所述第二應(yīng)力平衡層對(duì)所述第一量子阱層的拉應(yīng)力相平衡；

所述第一應(yīng)力平衡層為In_xGa_1-xN層，所述第二應(yīng)力平衡層為In_xGa_1-xN層，其中，0x1；或，所述第一應(yīng)力平衡層為GaN層，所述第二應(yīng)力平衡層為GaN層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力平衡層的禁帶寬度大于所述第一量子壘層的禁帶寬度和所述第二量子壘層的禁帶寬度，所述第二應(yīng)力平衡層的禁帶寬度大于所述第一量子阱層的禁帶寬度和所述第二量子阱層的禁帶寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光層包括2～12個(gè)所述層疊單元。