[發明專利]陣列基板

有效

• 申請號: 202110360378.2
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN112928127B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 湯富雄;管延慶;楊從星
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本申請提供一種陣列基板，陣列基板包括基底、遮光層以及有源層，所述遮光層設置在所述基底上，所述有源層設置在所述遮光層上，其中，所述有源層在所述基底上的正投影位于所述遮光層在所述基底上的正投影中。在本申請中，將所述有源層在所述基底上的正投影設置為位于所述遮光層在所述基底上的正投影中，避免了有源層出現爬坡斷裂的現象，進而保證陣列基板的性能。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板。

背景技術

目前，有源層通常對光信號(顯示設備的背光源等)敏感，不同的光信號會導致薄膜晶體管關態時的電流激增。當這個電流信號足夠大時，會導致薄膜晶體管的開關比下降，進一步導致薄膜晶體管陣列異常開啟，最終導致顯示畫面異常。目前通常采用的辦法是只在溝道區底部添加遮光層，以遮擋背光源對薄膜晶體管的影響，但是，在有遮光層與無遮光層的交界處將會使得有源層出現爬坡現象，且，有源層材料為非柔性材料，正是由于這種爬坡現象的存在，當有源層在受到后續的蝕刻和激光退火等制程影響時，有源層容易出現變窄或斷裂的缺陷，進而造成良率損失，進而影響陣列基板的性能。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板，以解決現有技術中在遮光層與有源層的交界處有源層出現爬坡斷裂的問題，進而提高陣列基板的性能。

本申請實施例提供一種陣列基板，包括：

基底；

遮光層，所述遮光層設置在所述基底上；以及

有源層，所述有源層設置在所述遮光層上，其中，所述有源層在所述基底上的正投影位于所述遮光層在所述基底上的正投影中。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述遮光層包括依次連接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的同側，所述第一遮光部和所述第三遮光部相對設置。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有源層包括依次連接的第一有源部、第二有源部和第三有源部，第一有源部位于第一遮光部上，第二有源部位于第二遮光部上，第三有源部位于第三遮光部上。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一有源部包括第一導通區和第一溝道區，所述第一導通區位于所述第一溝道區的兩端，所述第三有源部包括第二導通區和第二溝道區，所述第二導通區位于所述第二溝道區的兩端。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一導通區包括第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述第一溝道區的兩端，所述第二摻雜區位于所述第一摻雜區遠離所述第一溝道區的兩端，所述第一摻雜區的摻雜濃度小于所述第二摻雜區的摻雜濃度。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第二導通區包括第三摻雜區和第四摻雜區，所述第三摻雜區位于所述第二溝道區的兩端，所述第四摻雜區位于所述第三摻雜區遠離所述第二溝道區的兩端，所述第三摻雜區的摻雜濃度小于所述第四摻雜區的摻雜濃度。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一遮光部的平面形狀設置有第一凸起，所述第一凸起的凸起方向與所述第一溝道區的延伸方向垂直，所述第一凸起位于對應設置有所述第一摻雜區的第一遮光部的區域；所述第三遮光部的平面形狀設置有第二凸起，所述第二凸起的凸起方向與所述第二溝道區的延伸方向垂直，且所述第二凸起位于對應設置有所述第三摻雜區的第三遮光部的區域。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述有源層的第一摻雜區和第三摻雜區之外的區域的正投影邊緣與所述遮光層的正投影邊緣重疊。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述遮光層還包括第四遮光部，所述第四遮光部與所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部連接。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一遮光部、所述第三遮光部和所述第四遮光部位于所述第二遮光部的同側，且所述第四遮光部位于所述第一遮光部和所述第三遮光部之間。