[發(fā)明專利]陣列基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110360378.2 | 申請日： | 2021-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN112928127B | 公開（公告）日： | 2022-11-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 湯富雄;管延慶;楊從星 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
基底；
遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述基底上；以及
有源層，所述有源層設(shè)置在所述遮光層上，其中，所述有源層在所述基底上的正投影位于所述遮光層在所述基底上的正投影中，
其中，所述遮光層包括依次連接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的同側(cè)，所述第一遮光部和所述第三遮光部相對設(shè)置，所述遮光層還包括第四遮光部，所述第四遮光部與所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括依次連接的第一有源部、第二有源部和第三有源部，第一有源部位于第一遮光部上，第二有源部位于第二遮光部上，第三有源部位于第三遮光部上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源部包括第一導(dǎo)通區(qū)和第一溝道區(qū)，所述第一導(dǎo)通區(qū)位于所述第一溝道區(qū)的兩端，所述第三有源部包括第二導(dǎo)通區(qū)和第二溝道區(qū)，所述第二導(dǎo)通區(qū)位于所述第二溝道區(qū)的兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)通區(qū)包括第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)位于所述第一溝道區(qū)的兩端，所述第二摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)遠(yuǎn)離所述第一溝道區(qū)的兩端，所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)通區(qū)包括第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)位于所述第二溝道區(qū)的兩端，所述第四摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)遠(yuǎn)離所述第二溝道區(qū)的兩端，所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第四摻雜區(qū)的摻雜濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光部的平面形狀設(shè)置有第一凸起，所述第一凸起的凸起方向與所述第一溝道區(qū)的延伸方向垂直，所述第一凸起位于對應(yīng)設(shè)置有所述第一摻雜區(qū)的第一遮光部的區(qū)域；所述第三遮光部的平面形狀設(shè)置有第二凸起，所述第二凸起的凸起方向與所述第二溝道區(qū)的延伸方向垂直，且所述第二凸起位于對應(yīng)設(shè)置有所述第三摻雜區(qū)的第三遮光部的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)之外的區(qū)域的正投影邊緣與所述遮光層的正投影邊緣重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)在所述基底上的正投影邊緣以及所述第三摻雜區(qū)在所述基底上的正投影邊緣到所述遮光層在所述基底上的正投影邊緣的距離均為400納米-2000納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光部、所述第三遮光部和所述第四遮光部位于所述第二遮光部的同側(cè)，且所述第四遮光部位于所述第一遮光部和所述第三遮光部之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層在所述基底上的正投影邊緣到所述遮光層在所述基底上的正投影邊緣的距離為0納米-6000納米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的厚度為30納米-70納米。
12.一種陣列基板，其特征在于，包括：
基底；
遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述基底上；以及
有源層，所述有源層設(shè)置在所述遮光層上，其中，所述有源層在所述基底上的正投影位于所述遮光層在所述基底上的正投影中，
其中，所述遮光層包括依次連接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的不同側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
