[發明專利]一種快速上下電電路及其控制方法在審

申請號：	202110359407.3	申請日：	2021-04-02
公開（公告）號：	CN113098462A	公開（公告）日：	2021-07-09
發明（設計）人：	譚顯鋒;朱勇;方金虎	申請（專利權）人：	上海季豐電子股份有限公司
主分類號：	H03K17/22	分類號：	H03K17/22
代理公司：	上海海鈞知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31330	代理人：	許蘭
地址：	201100 上海市閔行***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種快速上下電路及其控制方法
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【說明書】：

本申請公開了一種快速上下電電路及其控制方法，所述快速上下電電路包括：高速控制器，用于輸出控制信號以控制上電電路和下電電路分時工作；DC電源，用于通過上電電路為負載供電；上電電路，用于對負載進行充電；下電電路，用于對負載進行放電；其中，上電電路、下電電路均包括一個高電壓開啟的第一開關器件和一個低電壓開啟的第二開關器件，第二開關器件與高速控制器連接，第一開關器件與負載連接，第一開關器件的通斷由第二開關器件控制。本申請采用低電阻的第一開關器件，并使用低電壓開啟的第二開關器件來控制高電壓開啟的第一開關器件的通斷，可讓DC電源快速開關并且使上下電時間達到微秒級，讓大功耗的芯片進行壽命測試成為了可能。

技術領域

本發明涉及電路設計技術領域，尤其涉及一種快速上下電電路及其控制方法。

背景技術

在產品的研發過程中，需要驗證其在不同環境下的可靠性。然而普通的測試實驗需要消耗大量的時間，因此為了加快實驗過程，縮短產品的壽命實驗時間，需要將其放置在特殊的環境里，即待測產品被置于嚴苛的溫度、濕度及壓力下測試，濕氣會沿著膠體或者膠體與導線架之間的接口滲入封裝體，從而損壞芯片，在這樣的環境下可檢測芯片封裝的耐濕能力。這樣的實驗中，一般對芯片有功耗的要求，芯片功耗需要小于一限定值，減少濕氣的揮發，才能使濕氣進入芯片的封裝體以達到測試的目的。然而有一些被測的芯片功耗太大，超過了限定值，濕氣無法進入，以至于無法達到檢測芯片封裝的耐濕能力的目的。

為了達到測試的目的，可以采用快速的上電及下電的來回切換來進行高低功耗切換，從而限制芯片的功耗，上下電的速度需要在毫秒級才能達到實驗效果。然而，現有技術中使用的電源無法實現上電及下電的高速循環，為了進行大功耗芯片的壽命測試，急需設計一種能實現上電及下電高速循環的電路。

發明內容

本發明的目的在于提供一種快速上下電電路及其控制方法，以解決上述技術背景中提出的問題。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

本申請第一個方面提供了一種快速上下電電路，包括：

高速控制器，用于輸出控制信號以控制上電電路和下電電路分時工作；

DC電源，用于通過上電電路為負載供電；

上電電路，用于對負載進行充電，所述上電電路的控制端與所述高速控制器連接，所述上電電路的輸入端與所述DC電源連接，所述上電電路的輸出端與負載連接；

下電電路，用于對負載進行放電，所述下電電路的控制端與所述高速控制器連接，所述下電電路的輸入端與所述負載連接，所述下電電路的輸出端接地；

其中，所述上電電路、下電電路均包括一個高電壓開啟的第一開關器件和一個低電壓開啟的第二開關器件，所述第二開關器件與所述高速控制器連接，所述第一開關器件與所述負載連接，所述第一開關器件的通斷由所述第二開關器件控制。

優選地，所述第一開關器件的內阻為毫歐級。

優選地，所述第一開關器件為N溝道MOSFET管，所述第二開關器件為N溝道MOSFET管。