[發明專利]一種快速上下電電路及其控制方法

在審

• 申請號: 202110359407.3
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113098462A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 譚顯鋒;朱勇;方金虎
• 申請（專利權）人: 上海季豐電子股份有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 上海海鈞知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31330
• 代理人: 許蘭

1.一種快速上下電電路，其特征在于，包括：

高速控制器，用于輸出控制信號以控制上電電路和下電電路分時工作；

DC電源，用于通過上電電路為負載供電；

上電電路，用于對負載進行充電，所述上電電路的控制端與所述高速控制器連接，所述上電電路的輸入端與所述DC電源連接，所述上電電路的輸出端與負載連接；

下電電路，用于對負載進行放電，所述下電電路的控制端與所述高速控制器連接，所述下電電路的輸入端與所述負載連接，所述下電電路的輸出端接地；

其中，所述上電電路、下電電路均包括一個高電壓開啟的第一開關器件和一個低電壓開啟的第二開關器件，所述第二開關器件與所述高速控制器連接，所述第一開關器件與所述負載連接，所述第一開關器件的通斷由所述第二開關器件控制。

2.根據權利要求1所述的一種快速上下電電路，其特征在于，所述第一開關器件的內阻為毫歐級。

3.根據權利要求1所述的一種快速上下電電路，其特征在于，所述第一開關器件為N溝道MOSFET管，所述第二開關器件為N溝道MOSFET管。

4.根據權利要求1所述的一種快速上下電電路，其特征在于，所述高速控制器設有第一電平信號輸出端和第二電平信號輸出端，所述第一電平信號輸出端與所述上電電路的第二開關器件相連接，向所述上電電路的第二開關器件發送第一電平信號，所述第二電平信號輸出端與所述下電電路的第二開關器件相連接，向所述下電電路的第二開關器件發送第二電平信號；

所述第一電平信號為低電平，所述第二電平信號為高電平，所述上電電路的第二開關器件截止，所述上電電路的第一開關器件導通，所述下電電路的第二開關器件導通，所述下電電路的第一開關器件截止，所述DC電源為所述負載充電；

所述第一電平信號為高電平，所述第二電平信號為低電平，所述上電電路的第二開關器件導通，所述上電電路的第一開關器件截止，所述下電電路的第二開關器件截止，所述下電電路的第一開關器件導通，所述負載放電。

5.根據權利要求1所述的一種快速上下電電路，其特征在于，所述上電電路包括第一MOSFET管和第二MOSFET管，所述第一MOSFET管的內阻為毫歐級；

所述第一MOSFET管的漏極與所述DC電源連接，所述第一MOSFET管的源極與所述負載連接，所述第一MOSFET管的柵極與所述第二MOSFET管的漏極連接，所述第一MOSFET管的柵極和所述第二MOSFET管的漏極之間通過第一電阻連接第一電源VCC；

所述第二MOSFET管的柵極通過第二電阻與所述高速控制器連接，所述第二MOSFET管的源極接地，所述第二電阻與高速控制器之間還通過第三電阻接地。

6.根據權利要求1所述的一種快速上下電電路，其特征在于，所述下電電路包括第三MOSFET管和第四MOSFET管，所述第三MOSFET管的內阻為毫歐級；

所述第三MOSFET管的漏極與所述負載連接，所述第三MOSFET管的源極接地，所述第三MOSFET管的柵極與所述第四MOSFET管的漏極連接，所述第三MOSFET管的柵極和所述第四MOSFET管的漏極之間通過第六電阻連接第一電源VCC；

所述第四MOSFET管的柵極通過第五電阻與所述高速控制器連接，所述第四MOSFET管的源極接地，所述第五電阻與高速控制器之間還通過第四電阻接第二電源VCC2。

7.一種如權利要求1所述的快速上下電電路的控制方法，其特征在于，包括：高速控制器循環輸出控制信號以控制上電電路和下電電路分時工作；其中，

負載上電時，高速控制器先控制下電電路斷開，再控制上電電路導通，實現負載上電；

負載下電時，高速控制器先控制上電電路斷開，再控制下電電路導通，實現負載下電。