[發(fā)明專利]相變存儲(chǔ)器的控制方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110358178.3
• 申請(qǐng)日: 2021-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN113257311B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉峻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 張競(jìng)存;張穎玲

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種相變存儲(chǔ)器的控制方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，所述控制方法包括：選擇相變存儲(chǔ)器的一個(gè)存儲(chǔ)陣列塊中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；其中，相變存儲(chǔ)器包括若干間隔排布的第一類地址線層和第二類地址線層以及位于第一類地址線層和第二類地址線層之間的存儲(chǔ)單元層；第一類地址線層包括多條沿第一方向延伸的第一類地址線；第二類地址線層包括多條沿與第一方向垂直的第二方向延伸的第二類地址線；不同層的第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；選擇的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括與不同層的第二類地址線層中第二類地址線耦合的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)單元同時(shí)進(jìn)行讀取操作或?qū)懖僮鳌?/p>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種相變存儲(chǔ)器的控制方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

相變存儲(chǔ)器(英文可以表達(dá)為Phase Change Memory，英文縮寫可以表達(dá)為PCM)是一種使用硫族化合物作為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)技術(shù)，利用材料在不同狀態(tài)下的電阻差異來(lái)保存數(shù)據(jù)。相變存儲(chǔ)器具有可按位尋址、斷電后數(shù)據(jù)不丟失、存儲(chǔ)密度高、讀寫速度快等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是最有前景的下一代存儲(chǔ)器。

相關(guān)技術(shù)中，主流的相變存儲(chǔ)器的架構(gòu)包括兩層堆疊的存儲(chǔ)單元架構(gòu)。然而，兩層堆疊的存儲(chǔ)單元架構(gòu)不能提供足夠的位密度，無(wú)法與主流的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)和NAND型存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)。基于此，提出了大于兩層的多層堆疊的存儲(chǔ)單元架構(gòu)，如四層堆疊的存儲(chǔ)單元架構(gòu)。然而，相關(guān)技術(shù)中，大于兩層的多層堆疊的存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)器與具有兩層堆疊的存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)器相比，在執(zhí)行讀取操作或?qū)懖僮鲿r(shí)并不存在訪問(wèn)效率的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決相關(guān)技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提出一種相變存儲(chǔ)器的控制方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種相變存儲(chǔ)器的控制方法，包括：

選擇相變存儲(chǔ)器的一個(gè)存儲(chǔ)陣列塊中的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；其中，所述相變存儲(chǔ)器包括若干間隔排布的第一類地址線層和第二類地址線層以及位于第一類地址線層和第二類地址線層之間的存儲(chǔ)單元層；第一類地址線層包括多條沿第一方向延伸的第一類地址線；第二類地址線層包括多條沿與第一方向垂直的第二方向延伸的第二類地址線；所述存儲(chǔ)單元層包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每個(gè)存儲(chǔ)單元均耦合到與相應(yīng)存儲(chǔ)單元相鄰的第一類地址線和第二類地址線上；不同層的第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；選擇的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括與不同層的第二類地址線層中第二類地址線耦合的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；

對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)單元同時(shí)進(jìn)行讀取操作或?qū)懖僮鳌?/p>

上述方案中，所述相變存儲(chǔ)器包括四層堆疊設(shè)置的存儲(chǔ)單元層及自上而下依次分布的頂部第一類地址線層、頂部第二類地址線層、中部第一類地址線層、底部第二類地址線層和底部第一類地址線層；所述頂部第一類地址線層及底部第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；

所述選擇的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括：與頂部第一類地址線層和頂部第二類地址線層耦合的第一存儲(chǔ)單元及與底部第一類地址線層和底部第二類地址線層耦合的第二存儲(chǔ)單元。

上述方案中，所述相變存儲(chǔ)器包括四層堆疊設(shè)置的存儲(chǔ)單元層及自上而下依次分布的頂部第一類地址線層、頂部第二類地址線層、中部第一類地址線層、底部第二類地址線層和底部第一類地址線層；所述頂部第一類地址線層及底部第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；

所述選擇的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括：與頂部第二類地址線層和中部第一類地址線層耦合的第一存儲(chǔ)單元及與底部第二類地址線層和中部第一類地址線層耦合的第二存儲(chǔ)單元。

上述方案中，與所述第一存儲(chǔ)單元耦合的第一類地址線和與所述第二存儲(chǔ)單元耦合的第一類地址線被共同激活控制。