[發明專利]相變存儲器的控制方法、裝置及存儲介質

有效

• 申請號: 202110358178.3
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113257311B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張競存;張穎玲

1.一種相變存儲器的控制方法，其特征在于，包括：

選擇相變存儲器的一個存儲陣列塊中的兩個存儲單元；其中，所述相變存儲器包括若干間隔排布的第一類地址線層和第二類地址線層以及位于第一類地址線層和第二類地址線層之間的存儲單元層；第一類地址線層包括多條沿第一方向延伸的第一類地址線；第二類地址線層包括多條沿與第一方向垂直的第二方向延伸的第二類地址線；所述存儲單元層包括多個存儲單元，多個存儲單元中的每個存儲單元均耦合到與相應存儲單元相鄰的第一類地址線和第二類地址線上；不同層的第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；選擇的兩個存儲單元包括與不同層的第二類地址線層中第二類地址線耦合的兩個存儲單元；

對所述兩個存儲單元同時進行讀取操作或寫操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變存儲器包括四層堆疊設置的存儲單元層及自上而下依次分布的頂部第一類地址線層、頂部第二類地址線層、中部第一類地址線層、底部第二類地址線層和底部第一類地址線層；所述頂部第一類地址線層及底部第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；

所述選擇的兩個存儲單元包括：與頂部第一類地址線層和頂部第二類地址線層耦合的第一存儲單元及與底部第一類地址線層和底部第二類地址線層耦合的第二存儲單元。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變存儲器包括四層堆疊設置的存儲單元層及自上而下依次分布的頂部第一類地址線層、頂部第二類地址線層、中部第一類地址線層、底部第二類地址線層和底部第一類地址線層；所述頂部第一類地址線層及底部第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；

所述選擇的兩個存儲單元包括：與頂部第二類地址線層和中部第一類地址線層耦合的第一存儲單元及與底部第二類地址線層和中部第一類地址線層耦合的第二存儲單元。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，與所述第一存儲單元耦合的第一類地址線和與所述第二存儲單元耦合的第一類地址線被共同激活控制。

5.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，在對所述兩個存儲單元同時進行讀取操作或寫操作的過程中，對與所述兩個存儲單元耦合的選定的第一類地址線均施加第一電壓；對與所述兩個存儲單元耦合的選定的第二類地址線均施加第二電壓；所述第一電壓為負電壓，所述第二電壓為正電壓；

對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的第一類地址線均施加第三電壓；對所述選擇的存儲陣列塊中所有未選定的第二類地址線均施加第四電壓。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述兩個存儲單元同時進行讀取操作的過程中，通過感測所述第二類地址線上的電壓的變化來獲得所述兩個存儲單元的存儲狀態。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述兩個存儲單元同時進行寫操作的過程中，采用兩位二進制的方式進行寫入。

8.一種相變存儲器的控制裝置，其特征在于，包括：

選擇單元，用于選擇相變存儲器的一個存儲陣列塊中的兩個存儲單元；其中，所述相變存儲器包括若干間隔排布的第一類地址線層和第二類地址線層以及位于第一類地址線層和第二類地址線層之間的存儲單元層；第一類地址線層包括多條沿第一方向延伸的第一類地址線；第二類地址線層包括多條沿與第一方向垂直的第二方向延伸的第二類地址線；所述存儲單元層包括多個存儲單元，多個存儲單元中的每個存儲單元均耦合到與相應存儲單元相鄰的第一類地址線和第二類地址線上；不同層的第一類地址線層中存在被共同激活控制的第一類地址線；選擇的兩個存儲單元包括與不同層的第二類地址線層中第二類地址線耦合的兩個存儲單元；

處理單元，對所述兩個存儲單元同時進行讀取操作或寫操作。

9.一種相變存儲器的控制裝置，其特征在于，包括：處理器和配置為存儲能夠在處理器上運行的計算機程序的存儲器；

其中，所述處理器用于運行所述計算機程序時，執行權利要求1至7任一項所述方法的步驟。

10.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7任一項所述方法的步驟。