[發明專利]排氣裝置及半導體加工設備

在審

• 申請號: 202110356380.2
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113113333A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 陳路路;趙海洋
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發明提供一種排氣裝置及半導體加工設備，包括用于將半導體加工設備的工藝腔室中的廢氣排出的主排氣管路和設置在主排氣管路上的主通斷閥，其還包括分級過壓保護組件，分級過壓保護組件包括內徑不同的至少兩條過壓排氣管路，每條過壓排氣管路的進氣端和出氣端均與主排氣管路連接，且分別位于主通斷閥的上游和下游，并且在每條過壓排氣管路上設置有輔通斷閥。本發明提出的排氣裝置及半導體加工設備，其能夠根據預設壓力開啟分級過壓保護組件，輔助主排氣管路進行排氣，從而能夠使主排氣管路內部壓力維持在安全的壓力范圍內。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，具體地，涉及一種排氣裝置及半導體加工設備。

背景技術

化學氣相沉積工藝的基本流程為：將襯底置入工藝腔室中，并向工藝腔室中通入含有構成薄膜元素的工藝氣體，以使工藝氣體在襯底表面發生化學反應，生成薄膜。

在進行化學氣相沉積工藝時，化學反應所述產生的廢氣通過排氣管路，持續排出至尾氣處理裝置中。但是當溫度較高的廢氣經過溫度較低的排氣管路時，容易在排氣管路中發生沉積，尤其容易在安裝在排氣管路中的球閥處發生沉積，這會導致排氣管路的發生壓力波動，進而導致工藝腔室中的壓力波動，影響產品的良率和產率。而且當沉積物過多時，排氣管路中的球閥會被沉積物堵塞，這會造成排氣管路的壓力過大，進而造成工藝腔室由于腔室壓力過大而炸裂，這會危害操作人員的人身安全，同時造成經濟損失。

發明內容

本發明實施例旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種排氣裝置及半導體加工設備，其可以避免因主排氣管路內部壓力而導致工藝腔室內部壓力過高，造成腔室因內部壓力過大而炸裂的問題。

為實現本發明的目的而提供一種排氣裝置，包括用于將半導體加工設備的工藝腔室中的廢氣排出的主排氣管路和設置在所述主排氣管路上的主通斷閥，其特征在于，還包括分級過壓保護組件，所述分級過壓保護組件包括內徑不同的至少兩條過壓排氣管路，每條所述過壓排氣管路的進氣端和出氣端均與所述主排氣管路連接，且分別位于所述主通斷閥的上游和下游，并且在每條所述過壓排氣管路上均設置有輔通斷閥。

可選的，所述排氣裝置還包括物理過壓保護管路，所述物理過壓保護管路的進氣端和出氣端均與所述主排氣管路連接，且分別位于所述主通斷閥的上游和下游；所述物理過壓保護管路中設置有物理過壓保護部件，所述物理過壓保護部件用于在所述主排氣管路的內部壓力達到預設的腔室防爆壓力值時，自動開啟所述物理過壓保護管路。

可選的，所述物理過壓保護部件包括防爆膜片，所述防爆膜片用于在所述主排氣管路的內部壓力達到所述預設的腔室防爆壓力值時破裂，以開啟所述物理過壓保護管路。

可選的，所述排氣裝置還包括壓力檢測單元和控制單元，其中，

所述壓力檢測單元用于實時檢測所述主排氣管路內部的當前壓力值，并將其發送至所述控制單元；

所述控制單元用于在所述當前壓力值超過壓力設定值時，關閉所述主通斷閥，并根據所述當前壓力值選擇性地開啟多條所述過壓排氣管路中的其中一條所述過壓排氣管路上的所述輔通斷閥。

可選的，所述壓力檢測單元包括壓力傳感器，所述壓力傳感器與所述主排氣管路連接。

可選的，所述過壓排氣管路上還設置有單向閥，所述單向閥用于使所述過壓排氣管路中的廢氣朝指定方向流動。

可選的，所述輔通斷閥為氣動閥。

可選的，所述主通斷閥為球閥。

作為另一種技術方案本發明實施例還提出一種半導體加工設備，其包括工藝腔室、尾氣處理裝置和連接所述工藝腔室與所述尾氣處理裝置的排氣裝置，其中，所述排氣裝置采用上述實施例所述的排氣裝置。

可選的，所述半導體加工設備包括化學氣相沉積設備。

本發明實施例具有以下有益效果：