[發明專利]排氣裝置及半導體加工設備在審
| 申請號: | 202110356380.2 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN113113333A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 陳路路;趙海洋 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣裝置 半導體 加工 設備 | ||
1.一種排氣裝置,包括用于將半導體加工設備的工藝腔室中的廢氣排出的主排氣管路和設置在所述主排氣管路上的主通斷閥,其特征在于,還包括分級過壓保護組件,所述分級過壓保護組件包括內徑不同的至少兩條過壓排氣管路,每條所述過壓排氣管路的進氣端和出氣端均與所述主排氣管路連接,且分別位于所述主通斷閥的上游和下游,并且在每條所述過壓排氣管路上均設置有輔通斷閥。
2.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣裝置還包括物理過壓保護管路,所述物理過壓保護管路的進氣端和出氣端均與所述主排氣管路連接,且分別位于所述主通斷閥的上游和下游;所述物理過壓保護管路中設置有物理過壓保護部件,所述物理過壓保護部件用于在所述主排氣管路的內部壓力達到預設的腔室防爆壓力值時,自動開啟所述物理過壓保護管路。
3.根據權利要求2所述的排氣裝置,其特征在于,所述物理過壓保護部件包括防爆膜片,所述防爆膜片用于在所述主排氣管路的內部壓力達到所述預設的腔室防爆壓力值時破裂,以開啟所述物理過壓保護管路。
4.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣裝置還包括壓力檢測單元和控制單元,其中,
所述壓力檢測單元用于實時檢測所述主排氣管路內部的當前壓力值,并將其發送至所述控制單元;
所述控制單元用于在所述當前壓力值超過壓力設定值時,關閉所述主通斷閥,并根據所述當前壓力值選擇性地開啟多條所述過壓排氣管路中的其中一條所述過壓排氣管路上的所述輔通斷閥。
5.根據權利要求4所述的排氣裝置,其特征在于,所述壓力檢測單元包括壓力傳感器,所述壓力傳感器與所述主排氣管路連接。
6.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述過壓排氣管路上還設置有單向閥,所述單向閥用于使所述過壓排氣管路中的廢氣朝指定方向流動。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的排氣裝置,其特征在于,所述輔通斷閥為氣動閥。
8.根據權利要求1-6任意一項所述的排氣裝置,其特征在于,所述主通斷閥為球閥。
9.一種半導體加工設備,其特征在于,包括工藝腔室、尾氣處理裝置和連接所述工藝腔室與所述尾氣處理裝置的排氣裝置,其中,所述排氣系統采用權利要求1-8中任意一項所述的排氣裝置。
10.根據權利要求9所述的半導體加工設備,其特征在于,所述半導體加工設備包括化學氣相沉積設備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司,未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110356380.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種濾芯連續檢測裝置
- 下一篇:一種雙向輸出拔銷器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





