[發明專利]版圖結構及芯片的測試方法在審
| 申請號: | 202110354882.1 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113097205A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 張黎 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/66;G01R31/28;G01R1/073;G01R1/04 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 版圖 結構 芯片 測試 方法 | ||
1.一種版圖結構,其特征在于,包括第1個至第N個測試芯片版圖,每個所述測試芯片版圖均具有測試區域以及位于所述測試區域外的空白區域;
第2個至第N個所述測試芯片版圖均位于第1個所述測試芯片版圖的空白區域內,或者,第i個所述測試芯片版圖位于第i-1個所述測試芯片版圖的空白區域內,其中,N≥1,1≤i≤N。
2.如權利要求1所述的版圖結構,其特征在于,所述測試區域包括器件區域、導電連接線區域及引腳區域,所述引腳區域圍繞所述器件區域,所述導電連接線區域位于所述器件區域與所述引腳區域之間,所述空白區域為位于所述器件區域、所述引腳區域及所述導電連接線區域之外的區域。
3.如權利要求2所述的版圖結構,其特征在于,所述引腳區域內具有多個引腳圖案,所述導電連接線區域內具有多個導電連接線圖案,所述引腳圖案通過對應的所述導電連接線圖案與所述器件區域連接。
4.如權利要求2或3所述的版圖結構,其特征在于,第1個所述測試芯片版圖的器件區域位于所述版圖結構的中心位置,第1個所述測試芯片版圖的引腳區域位于所述版圖結構的邊緣位置,第2個至第N個所述測試芯片版圖沿第1個所述測試芯片版圖的器件區域的外周周向分布。
5.如權利要求1所述的版圖結構,其特征在于,第1個所述測試芯片版圖的器件區域位于所述版圖結構的中心位置的一側,第1個所述測試芯片版圖的引腳區域位于所述版圖結構的邊緣位置,第2個至第N個所述測試芯片版圖位于所述版圖結構的中心位置的另一側。
6.如權利要求1所述的版圖結構,其特征在于,第2個至第N個所述測試芯片版圖均相同。
7.如權利要求1所述的版圖結構,其特征在于,第1個至第N個所述測試芯片版圖對應的測試芯片的工藝制程均相同。
8.如權利要求1所述的版圖結構,其特征在于,第1個至第N個所述測試芯片版圖對應的測試芯片在金屬化過程中形成的互聯線的層數相同。
9.一種芯片的測試方法,其特征在于,包括:
根據權利要求1-8中任一項所述版圖結構制備出一測試器件,所述測試器件具有與第1個至第N個測試芯片版圖對應的第1個至第N個測試芯片;
提供測試針卡,所述測試針卡包括第1個探針組至第N個探針組;
將第1個至第N個所述探針組與第1個至第N個所述測試芯片接觸,以同時對第1個至第N個所述測試芯片進行測試。
10.一種芯片的測試方法,其特征在于,包括:
根據權利要求1-8中任一項所述版圖結構制備出一測試器件,所述測試器件具有與第1個至第N個測試芯片版圖對應的第1個至第N個測試芯片;
切割所述測試器件以將第1個至第N個所述測試芯片分離;
提供第1個至第N個測試針卡,分別將所述第1個至第N個所述測試針卡與第1個至第N個所述測試芯片對應接觸,以分別對所述第1個至第N個所述測試芯片進行測試。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





