[發明專利]一種仿陶瓷玻璃板及其制備方法

在審

• 申請號: 202110354878.5
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113087408A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 顧澄鑫;歐陽小隆;陸坤鵬;程倫亮;趙元東
• 申請（專利權）人: 江西省亞華電子材料有限公司
• 主分類號: C03C17/00
• 分類號: C03C17/00;C03C17/28;C03C17/42;C03C17/34;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/34
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1.一種仿陶瓷玻璃板，其特征在于，包括玻璃基板層，在玻璃基板層的一面噴涂有顏色油墨層，在玻璃基板層的另一面依次鍍有氮化硅透明加硬層、DLC膜層和AF膜層，所述氮化硅透明加硬層包括二氧化硅層，在二氧化硅層之上依次順序設有數層氮化硅層和數層氮氧化硅層，氮化硅層和氮氧化硅層采用間隔互層方式設置。

2.如權利要求1所述的一種仿陶瓷玻璃板，其特征在于，所述氮化硅層的層數為3~8層，氮氧化硅層的層數為3~8層。

3.如權利要求1所述的一種仿陶瓷玻璃板，其特征在于，所述的氮化硅層的單層厚度為30~300納米，氮氧化硅層的單層厚度為15~100納米。

4.如權利要求1所述的一種仿陶瓷玻璃板，其特征在于，所述顏色油墨層厚度為15~25微米。

5.如權利要求1所述的一種仿陶瓷玻璃板，其特征在于，所述顏色油墨層的顏色為黑色、綠色、藍色、白色、紅色之一。

6.如權利要求1~5任一一種仿陶瓷玻璃板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將玻璃浸沒在純水中，通過超聲波清洗30~40min后，用120℃熱風烘干；

步驟二：采用噴墨機在步驟一烘干的玻璃一面噴涂有色油墨；

步驟三：將噴涂有油墨的玻璃放入烤箱內，在150℃下烘烤60min；

步驟四：將步驟三中油墨固化了的玻璃再次采用步驟一的方式清洗干凈，清洗后人工檢查，要求未噴油墨面無臟污和劃傷；

步驟五：將步驟四清洗干凈的玻璃利用高溫膠帶固定在鍍膜機上進行鍍膜；

步驟六：當鍍膜機真空度達到0.00085帕后，硅靶/ICP開始工作，同時，注入氧氣、氬氣和氮氣，在此過程中，首先制作20~60納米厚的二氧化硅層作為銜接層，再制備單層納米氮氧化硅膜層，隨后制備單層納米氮化硅膜層，兩種材料反復交替疊加，達到機器設定的膜層數量時，氮化硅透明加硬層鍍膜結束；

步驟七：步驟六的作業結束后，碳靶開始進行鍍DLC膜層工作，濺射出納米級碳原子，并沉積在氮化硅透明加硬層外表面，碳原子沉積速率控制在0.05nm/s～0.1nm/s，DLC膜層厚度3～5納米；

步驟八：利用蒸鍍方法在步驟七所述的DLC膜層外表面鍍20~30納米厚度的AF膜層，該AF膜層選用膜料為全氟聚醚硅氧烷。

7.如權利要求6所述的仿陶瓷玻璃板的制備方法，其特征在于，步驟六中，制做納米二氧化硅層時，硅靶功率為12~15KW，硅靶濺射氬氣流量為300~600SCCM；氧化源功率為2.5~5KW，反應的氬氣和氧氣的注入流量比例為：50~200SCCM：600~1000SCCM；

制做氮化硅時，硅靶功率為12~15KW，硅靶濺射氬氣流量為120~400SCCM，氧化源功率為2.5~5KW，反應的氬氣和氮氣的注入流量比例為：50~200SCCM：200~300SCCM；

制做氮氧化硅時，硅靶功率為12~15KW，硅靶濺射氬氣流量為120~400SCCM，氧化源功率為2.5~5KW，反應的氧氣、氮氣和氬氣的注入流量比例為：100~160SCCM：200~300SCCM：50~200SCCM。

8.如權利要求6所述的仿陶瓷玻璃板的制備方法，其特征在于，步驟七中制做DLC膜時碳靶的功率為6~15KW，靶材濺射氬氣的注入流量為：200~400SCCM；氧化源功率為0.5~1KW，氬氣流量為50~150SCCM。

9.如權利要求6所述的仿陶瓷玻璃板的制備方法，其特征在于，所述硅靶、碳靶靶材的純度均為99.99%以上；氧氣、氬氣、氮氣純度均達到99.999%以上。

10.如權利要求6所述的仿陶瓷玻璃板的制備方法，其特征在于，步驟八中蒸鍍AF 的真空度在0.002帕以下，離子源清潔20~200秒，離子源的功率為：中和電流16~20A，離子束流250MA，電子束流300MA，加速電壓200~250V，屏極電壓350v，加速電流1~20A，陰極電流9~11A，陽極電壓60~90V，陽極電流2~4A。