[發明專利]使用自組裝核酸形成納米結構的方法及其納米結構

在審

• 申請號: 202110354365.4
• 申請日: 2016-03-11
• 公開（公告）號: CN112967926A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 斯科特·E·西里斯;古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06;B82Y10/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及使用自組裝核酸形成納米結構的方法及其納米結構。本發明揭示一種形成納米結構的方法，其包括在圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝。所述圖案化襯底包括多個區域。所述圖案化襯底上的所述區域中的每一者經具體調適用于所述定向自組裝中的特定核酸結構的吸附。

本申請為發明名稱為“使用自組裝核酸形成納米結構的方法及其納米結構”、申請號為201680019953.X、申請日為2016年3月11日的中國發明專利申請的分案申請。

優先權主張

本申請案主張2015年4月2日申請的題為“使用自組裝核酸形成納米結構的方法及其納米結構(METHODS OF FORMING NANOSTRUCTURES USING SELF-ASSEMBLED NUCLEICACIDS,AND NANOSTRUCTURES THEREOF)”的第14/677,445號美國專利申請案的申請日的權利。

技術領域

在各種實施例中，本發明大體上涉及使用核酸的自組裝形成納米結構的方法。

背景技術

集成電路制造的繼續目標是減小集成電路的尺寸。集成電路尺寸可通過減少成分特征或結構的尺寸及間隔而減小。例如，通過減小存儲器裝置的半導體特征(例如存儲電容器、存取晶體管、存取線)的尺寸及間隔，可減小所述存儲器裝置的總尺寸同時維持或增大所述存儲器裝置的存儲容量。

隨著半導體裝置特征的尺寸及間隔變得更小，用于形成所述半導體裝置特征的常規光刻工藝的進行變得日益困難及昂貴。因此，納米結構(特定地說，具有小于常規光光刻技術的分辨率極限(當前大約40nm)的特征尺寸(例如臨界尺寸)的結構)的制造中遇到顯著的挑戰。可使用昂貴節距劃分或雙圖案化技術制造具有此類特征尺寸的半導體結構。然而，此類工藝的使用受到限制，這是因為曝光工具極昂貴或極緩慢且，此外，可能不適合形成具有小于20nm的尺寸的結構。

新工藝及在此類工藝中有用的材料的發展對于使得制造小型裝置更容易、不太昂貴且更通用越來越重要。解決常規光刻技術的一些缺點的一種制造小型裝置的方法的一個實例涉及分相區段共聚物的定向自組裝(DSA)。

雖然DSA區段共聚物對于制造具有小于40nm的尺寸的半導體結構是有用的，但是自組裝區段共聚物材料一般限于周期性圖案且可不產生顯示足夠低的缺陷水平的納米結構。

已研究用于形成半導體裝置的自組裝核酸。核酸中的互補堿基配對的特異性提供可用于自組裝核酸光刻工藝的自組裝核酸。

美國專利8,501,923揭示一種自組裝DNA折紙結構。所述DNA折紙結構是由結構單元形成，其中每一結構單元包括單鏈多核苷酸支架及多個輔助性/短纖維鏈。所述輔助性/短纖維鏈設計為至少部分地與所述單鏈多核苷酸支架互補，使得所述輔助性/短纖維鏈與所述單鏈多核苷酸支架自退火成結構單元。DNA折紙結構可具有100nm到200nm的尺寸及6nm的分辨率。

已在魏(Wei)等人的題為“從單鏈DNA分子瓦自組裝的復雜形狀(Complex shapesself-assembled from single stranded DNA tiles)”,《自然(Nature)》485(2012)第623到627頁中報告自組裝核酸的任意二維(2D)圖案。使用由DNA子單元形成的自組裝DNA分子帆布產生所述任意2D圖案。DNA子單元具有小于10nm的尺寸。DNA子單元可為具有3nm的尺寸的單鏈DNA。自組裝DNA分子帆布可具有200nm的尺寸。