[發明專利]使用自組裝核酸形成納米結構的方法及其納米結構在審
| 申請號: | 202110354365.4 | 申請日: | 2016-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN112967926A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 斯科特·E·西里斯;古爾特杰·S·桑胡 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L29/06;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 組裝 核酸 形成 納米 結構 方法 及其 | ||
1.一種形成納米結構的方法,所述方法包括:
圖案化襯底以形成包括一個或多個區域的圖案化襯底,所述一個或多個區域中的每一個經調適以吸附特定核酸結構,并且所述一個或多個區域經配置以顯示以下中的一個或多個:
對所述特定核酸結構的拓撲特異性;或
對所述特定核酸結構的拓撲特異性和化學特異性;
將所述圖案化襯底與包含所述特定核酸結構的核酸結構接觸;以及
將所述特定核酸結構選擇性地吸附到所述圖案化襯底的相應一個或多個區域,以在所述圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝,顯示出定向控制及順序控制中的一個或多個。
2.根據權利要求1所述的方法,其中圖案化襯底以形成圖案化襯底包括圖案化所述襯底以包括一個或多個區域,所述一個或多個區域在尺寸或形態中的一個或多個上對應于所述特定核酸結構的尺寸或形態中的一個或多個。
3.根據權利要求1所述的方法,其中在所述圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝包括形成包括次光刻開口的所述定向自組裝。
4.根據權利要求1所述的方法,其中在所述圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝包括形成包括次光刻特征的所述定向自組裝。
5.根據權利要求4所述的方法,其中在所述圖案化襯底上形成包括次光刻特征的所述定向自組裝包括形成所述次光刻特征的周期性圖案。
6.根據權利要求4所述的方法,其中在所述圖案化襯底上形成包括次光刻特征的所述定向自組裝包括形成所述次光刻特征的不規則形狀。
7.根據權利要求4所述的方法,進一步包括將所述次光刻特征轉印到所述圖案化襯底。
8.根據權利要求1所述的方法,其中將所述特定核酸結構選擇性地吸附到所述圖案化襯底的所述相應一個或多個區域包括將特定脫氧核糖核酸結構選擇性地吸附到所述相應的一個或多個區域。
9.根據權利要求1所述的方法,其中將所述特定核酸結構選擇性地吸附到所述圖案化襯底的所述相應一個或多個區域包括將特定核糖核酸結構選擇性地吸附到所述相應一個或多個區域。
10.根據權利要求1所述的方法,其中將所述特定核酸結構選擇性地吸附到所述圖案化襯底的所述相應一個或多個區域以在所述圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝包括使用定向控制及順序控制選擇性地吸附所述特定核酸結構以形成包括各向異性核酸結構的核酸結構的所述定向自組裝。
11.根據權利要求1所述的方法,其中將所述特定核酸結構選擇性地吸附到所述圖案化襯底的所述相應一個或多個區域以在所述圖案化襯底上形成核酸結構的定向自組裝包括形成包括各向同性核酸結構的所述定向自組裝。
12.根據權利要求1所述的方法,其中圖案化襯底以形成包括一個或多個區域的圖案化襯底包括形成經調適以吸附相同特定核酸結構的所述一個或多個區域。
13.根據權利要求1所述的方法,其中圖案化襯底以形成包括一個或多個區域的圖案化襯底包括形成經調適以吸附不同特定核酸結構的所述一個或多個區域。
14.一種納米結構,其包括:
圖案化襯底上的核酸結構的定向自組裝,所述圖案化襯底包括區域以及選擇性吸附到所述圖案化襯底的所述區域中的每一個的核酸結構的所述定向自組裝的特定核酸結構,所述區域中的每一個在大小或形態中的一個或多個上對應于所述特定核酸結構的大小或形態中的一個或多個。
15.根據權利要求14所述的納米結構,其中所述區域中的每一個經制定以顯示對所述特定核酸結構的拓撲特異性。
16.根據權利要求14所述的納米結構,其中所述區域中的每一個經制定以顯示對所述特定核酸結構的拓撲特異性和化學特異性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





