[發明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110354320.7
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113707662A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 申東夏;鄭在元;任琫淳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11529
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳亞男;尹淑梅

公開了一種垂直存儲器裝置。所述垂直存儲器裝置包括：多條字線，位于基底上；多個字線切割區域，彼此平行地延伸；存儲器單元陣列，包括在基底上延伸穿過所述多條字線并且布置成蜂窩結構的多個溝道結構；多個接觸件，位于所述多個溝道結構上；以及多條位線，通過所述多個接觸件連接到所述多個溝道結構。存儲器單元陣列包括由所述多個字線切割區域限定并且連接到來自所述多條位線之中的一些相同的位線的第一子陣列和第二子陣列，并且來自所述多個接觸件之中的位于第一子陣列中的接觸件的布局不同于來自所述多個接觸件之中的位于第二子陣列中的接觸件的布局。

本申請要求于2020年5月21日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0060899號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

發明構思涉及一種垂直存儲器裝置，更具體地，涉及一種其中連接到多個垂直溝道的位線表現出在它們之間均勻或基本均勻的電特性的垂直存儲器裝置。

背景技術

隨著信息通信裝置變得多功能，需要并/或期望包括存儲器裝置的集成電路裝置具有更大的容量并且被更高度地集成。隨著用于更高集成度的存儲器單元的尺寸的減小，包括在存儲器裝置中的且用于存儲器裝置的操作和電連接的操作電路和布線結構變得更加復雜。因此，期望/需要包括具有在表現改進的集成度的同時具有優異的電特性的結構的存儲器裝置的集成電路裝置。

發明內容

發明構思提供了一種其中各條位線的電特性在其間是均勻的垂直存儲器裝置。

根據發明構思的一些示例實施例，提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：多條字線，位于基底上，所述多條字線在平行于基底的主表面的水平方向上延伸，所述多條字線沿豎直方向堆疊；多個字線切割區域，在第一水平方向上彼此平行地延伸并且限定所述多條字線的寬度，所述寬度在垂直于第一水平方向的第二水平方向上；存儲器單元陣列，包括在基底上沿豎直方向延伸穿過所述多條字線并且布置成蜂窩結構的多個溝道結構；多個接觸件，位于所述多個溝道結構上；以及多條位線，通過所述多個接觸件連接到所述多個溝道結構。存儲器單元陣列包括由所述多個字線切割區域限定并且連接到來自所述多條位線之中的一些相同的位線的第一子陣列和第二子陣列，并且來自所述多個接觸件之中的位于第一子陣列中的接觸件的布局不同于來自所述多個接觸件之中的位于第二子陣列中的接觸件的布局。

根據發明構思的一些示例實施例，提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：多條字線，在基底上沿平行于基底的主表面的水平方向延伸，所述多條字線沿豎直方向彼此疊置；多個字線切割區域，在第一水平方向上彼此平行地延伸并且限定所述多條字線在第二水平方向上的寬度，第二水平方向垂直于第一水平方向；存儲器單元陣列，包括在基底上沿豎直方向延伸穿過所述多條字線的多個溝道結構；多個接觸件，布置在所述多個溝道結構上；以及多條位線，通過所述多個接觸件連接到所述多個溝道結構。存儲器單元陣列包括由所述多個字線切割區域限定并且連接到來自所述多條位線之中的第一位線至第四位線的第一子陣列和第二子陣列，并且來自所述多個接觸件之中的位于第一子陣列中的接觸件的布局不同于來自所述多個接觸件之中的位于第二子陣列中的接觸件的布局。