[發明專利]垂直存儲器裝置在審
| 申請號: | 202110354320.7 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN113707662A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 申東夏;鄭在元;任琫淳 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11519 | 分類號: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11529 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 陳亞男;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 存儲器 裝置 | ||
1.一種垂直存儲器裝置,所述垂直存儲器裝置包括:
多條字線,位于基底上,所述多條字線在平行于基底的主表面的水平方向上延伸,所述多條字線沿豎直方向堆疊;
多個字線切割區域,在第一水平方向上彼此平行地延伸并且限定所述多條字線的寬度,所述寬度在垂直于第一水平方向的第二水平方向上;
存儲器單元陣列,包括在基底上沿豎直方向延伸穿過所述多條字線并且布置成蜂窩結構的多個溝道結構;
多個接觸件,位于所述多個溝道結構上;以及
多條位線,通過所述多個接觸件連接到所述多個溝道結構,
其中,存儲器單元陣列包括由所述多個字線切割區域限定并且連接到來自所述多條位線之中的一些相同的位線的第一子陣列和第二子陣列,并且
來自所述多個接觸件之中的位于第一子陣列中的接觸件的布局不同于來自所述多個接觸件之中的位于第二子陣列中的接觸件的布局。
2.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置,其中,所述多條位線之間的間隙比所述多個溝道結構中的每個的寬度小。
3.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置,所述垂直存儲器裝置還包括:
串選擇線,沿豎直方向與所述多條字線疊置;以及
多個選擇線切割區域,限定串選擇線在第二水平方向上的寬度,
其中,第一子陣列和第二子陣列中的每個包括通過所述多個選擇線切割區域彼此分離的多個溝道組。
4.根據權利要求3所述的垂直存儲器裝置,其中,包括在所述多個溝道組中的每個中的溝道結構的布局是相同的。
5.根據權利要求3所述的垂直存儲器裝置,其中,所述多個選擇線切割區域在剖面中具有波形,該剖面平行于基底的主表面。
6.根據權利要求3所述的垂直存儲器裝置,其中,第一子陣列和第二子陣列中的每個連接到來自所述多條位線之中的第一位線至第四位線,并且
所述多個溝道組中的每個包括在第二水平方向上彼此對準的第一溝道結構和第二溝道結構,并且所述多個溝道組中的每個包括在第二水平方向上彼此對準的第三溝道結構和第四溝道結構。
7.根據權利要求6所述的垂直存儲器裝置,其中,包括在第一子陣列中的所述多個溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第二位線,并且包括在第二子陣列中的所述多個溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第一位線。
8.根據權利要求6所述的垂直存儲器裝置,其中,第一子陣列包括在第二水平方向上彼此對準的第一溝道組至第四溝道組,
第一溝道組和第二溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第二位線,并且
第三溝道組和第四溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第一位線。
9.根據權利要求6所述的垂直存儲器裝置,其中,第一子陣列包括在第二水平方向上彼此對準的第一溝道組至第四溝道組,
第一溝道組和第四溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第二位線,并且
第二溝道組和第三溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第一位線。
10.根據權利要求6所述的垂直存儲器裝置,其中,第一子陣列包括在第二水平方向上彼此對準的第一溝道組至第四溝道組,
第一溝道組、第二溝道組和第四溝道組中的每個的第一溝道結構連接到第二位線,并且第三溝道組的第一溝道結構連接到第一位線。
11.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置,其中,存儲器單元陣列包括連接到與連接到第一子陣列的位線不同的位線的第三子陣列,
第三子陣列在第一水平方向上與第一子陣列對準,并且
來自所述多個接觸件之中的位于第一子陣列中的接觸件的布局與來自所述多個接觸件之中的位于第三子陣列中的接觸件的布局相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





