[發(fā)明專利]彩膜缺陷的測高方法、設(shè)備及介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110353627.5
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN112904605B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭號;陳翔;袁海江
• 申請（專利權(quán)）人: 長沙惠科光電有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44287
• 代理人: 晏波

本發(fā)明公開了一種彩膜缺陷的測高方法、設(shè)備及介質(zhì)，所述方法包括：獲取缺陷區(qū)域?qū)娜毕輼俗R；根據(jù)所述缺陷標識調(diào)整所述缺陷區(qū)域的測高補償參數(shù)；根據(jù)所述測高補償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標信息確定測高基準面；根據(jù)所述測高基準面對所述缺陷區(qū)域進行測高以確定缺陷高度。解決了現(xiàn)有技術(shù)中彩膜缺陷區(qū)域測高不準確的技術(shù)問題，達到了提高彩膜缺陷區(qū)域的測高準確性的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及面板制造的領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜缺陷的測高方法、設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

彩膜缺陷的研磨修補機臺是TFT-LCD產(chǎn)業(yè)中彩膜(CF)制程中重要的設(shè)備，它主要是通過測高研磨等一些手法對缺陷進行修補，使基板達進入下一流程的標準，因此彩膜的研磨修補機臺的測高精準性對TFT-LCD產(chǎn)業(yè)中提高產(chǎn)能及生產(chǎn)良率起到了重要作用。

當前彩膜缺陷的測高設(shè)備的缺陷測高流程根據(jù)前站提供的缺陷坐標移動至缺陷，使用固定長度作為基準面對缺陷進行測高的，若缺陷的高度超過設(shè)定的標準值，測設(shè)備對其進行研磨或者鐳射，將缺陷的高度降至標準高度以下，在此修補的過程中，通常會設(shè)定修補完成后設(shè)備拍缺陷的反射與透射圖傳送至人員判定或者電腦判等級判回機臺重新修補。測高過程中，每個基板的缺陷區(qū)域面積不同，在缺陷變形區(qū)域太大的情況下，由于按照距離缺陷中心固定長度的區(qū)域作為測高基準面的，若缺陷區(qū)域過大則會導致測高的基準面處于變形區(qū)域，從而導致缺陷區(qū)域測高不準確。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例通過提供一種彩膜缺陷的測高方法、設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中彩膜缺陷區(qū)域測高不準確的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，本申請實施例提供了一種彩膜缺陷的測高方法，所述彩膜缺陷的測高方法包括以下步驟：

獲取缺陷區(qū)域?qū)娜毕輼俗R；

根據(jù)所述缺陷標識調(diào)整所述缺陷區(qū)域的測高補償參數(shù)；

根據(jù)所述測高補償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標信息確定測高基準面；

根據(jù)所述測高基準面對所述缺陷區(qū)域進行測高以確定缺陷高度。

可選地，所述測高補償參數(shù)包括與測高行徑方向平行的第一測高補償參數(shù)以及與所述測高行徑方向垂直的第二測高補償參數(shù)。

可選地，所述獲取缺陷區(qū)域?qū)娜毕輼俗R的步驟，之前還包括：

獲取所述缺陷區(qū)域的面積信息以及所述缺陷區(qū)域的中心坐標信息；

根據(jù)所述缺陷區(qū)域的面積信息以及所述缺陷區(qū)域的中心坐標信息確定缺陷標識，保存所述缺陷標識；

關(guān)聯(lián)所述缺陷標識與所述測高補償參數(shù)；

其中，在接收到測高指令時，獲取所述缺陷區(qū)域?qū)娜毕輼俗R。

可選地，所述根據(jù)所述測高補償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標信息確定測高基準面的步驟包括：

根據(jù)所述測高補償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標信息確定所述缺陷區(qū)域的測高區(qū)域，其中，所述缺陷區(qū)域的測高區(qū)域是以所述缺陷區(qū)域的中心坐標為中心，以所述第一測高補償參數(shù)以及所述第二測高補償參數(shù)為邊長所圍成的矩形區(qū)域；

根據(jù)所述缺陷區(qū)域的測高區(qū)域確定所述測高基準面，其中，所述測高基準面為缺陷區(qū)域的測高區(qū)域之外的區(qū)域。

可選地，所述根據(jù)所述測高基準面對所述缺陷區(qū)域進行測高以確定缺陷高度的步驟包括：

獲取測高基準面的平均高度以及缺陷區(qū)域的最高高度，所述測高基準面的平均高度根據(jù)測高傳感器的平均下壓高度與待機下壓高度確定；

根據(jù)所述測高基準面的平均高度以及缺陷區(qū)域的最高高度確定缺陷高度。

可選地，所述獲取測高基準面的平均高度的步驟包括：