[發(fā)明專利]彩膜缺陷的測(cè)高方法、設(shè)備及介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110353627.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112904605B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭號(hào);陳翔;袁海江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)沙惠科光電有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/13 | 分類號(hào): | G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 410300 湖南省長(zhǎng)*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 缺陷 測(cè)高 方法 設(shè)備 介質(zhì) | ||
1.一種彩膜缺陷的測(cè)高方法,其特征在于,所述彩膜缺陷的測(cè)高方法包括以下步驟:
獲取缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的缺陷標(biāo)識(shí),其中,所述缺陷標(biāo)識(shí)根據(jù)缺陷區(qū)域面積以及缺陷區(qū)域的中心坐標(biāo)信息確定,所述缺陷標(biāo)識(shí)為缺陷編碼,不同的所述缺陷標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)不同的缺陷區(qū)域面積以及缺陷區(qū)域的中心坐標(biāo)信息;
根據(jù)所述缺陷標(biāo)識(shí)與測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)之間的映射關(guān)系表和所述缺陷標(biāo)識(shí),調(diào)整所述缺陷區(qū)域的測(cè)高補(bǔ)償參數(shù),所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)包括與測(cè)高行徑方向平行的第一測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)以及與所述測(cè)高行徑方向垂直的第二測(cè)高補(bǔ)償參數(shù),所述測(cè)高行徑方向?yàn)闇y(cè)高傳感器刮過的方向;
根據(jù)所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標(biāo)信息確定測(cè)高基準(zhǔn)面,所述測(cè)高傳感器根據(jù)所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)劃過所述缺陷區(qū)域的中心,劃過的部分為缺陷區(qū)域的測(cè)高區(qū)域,所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)之外的區(qū)域?yàn)闇y(cè)高基準(zhǔn)面;
獲取所述測(cè)高基準(zhǔn)面的平均高度以及所述缺陷區(qū)域的最高高度,將所述缺陷區(qū)域的最高高度以及所述測(cè)高基準(zhǔn)面的平均高度相減得到缺陷區(qū)域高度。
2.如權(quán)利要求1所述的彩膜缺陷的測(cè)高方法,其特征在于,所述獲取缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的缺陷標(biāo)識(shí)的步驟,之前還包括:
獲取所述缺陷區(qū)域的面積信息以及所述缺陷區(qū)域的中心坐標(biāo)信息;
根據(jù)所述缺陷區(qū)域的面積信息以及所述缺陷區(qū)域的中心坐標(biāo)信息確定缺陷標(biāo)識(shí),保存所述缺陷標(biāo)識(shí);
關(guān)聯(lián)所述缺陷標(biāo)識(shí)與所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù);
其中,在接收到測(cè)高指令時(shí),獲取所述缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的缺陷標(biāo)識(shí)。
3.如權(quán)利要求1所述的彩膜缺陷的測(cè)高方法,其特征在于,所述根據(jù)所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標(biāo)信息確定測(cè)高基準(zhǔn)面的步驟包括:
根據(jù)所述測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)以及缺陷區(qū)域中心坐標(biāo)信息確定所述缺陷區(qū)域的測(cè)高區(qū)域,其中,所述缺陷區(qū)域的測(cè)高區(qū)域是以所述缺陷區(qū)域的中心坐標(biāo)信息為中心以所述第一測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)以及所述第二測(cè)高補(bǔ)償參數(shù)為邊長(zhǎng)所圍成的矩形區(qū)域;
根據(jù)所述缺陷區(qū)域的測(cè)高區(qū)域確定所述測(cè)高基準(zhǔn)面,其中,所述測(cè)高基準(zhǔn)面為缺陷區(qū)域的測(cè)高區(qū)域之外的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的彩膜缺陷的測(cè)高方法,其特征在于,所述獲取所述測(cè)高基準(zhǔn)面的平均高度包括:
獲取預(yù)設(shè)測(cè)高間距以及預(yù)設(shè)測(cè)高路徑;
根據(jù)所述預(yù)設(shè)測(cè)高間距以及預(yù)設(shè)測(cè)高路徑對(duì)所述測(cè)高基準(zhǔn)面進(jìn)行測(cè)高以確定所述測(cè)高基準(zhǔn)面的平均高度。
5.一種彩膜缺陷的測(cè)高設(shè)備,其特征在于,所述彩膜缺陷的測(cè)高設(shè)備包括存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器并可在所述處理器上運(yùn)行的彩膜缺陷的測(cè)高程序,所述彩膜缺陷的測(cè)高程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的彩膜缺陷的測(cè)高方法。
6.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有彩膜缺陷的測(cè)高程序,所述彩膜缺陷的測(cè)高程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的彩膜缺陷的測(cè)高方法。
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
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