[發(fā)明專利]一種射頻功率放大電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110352010.1 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113037228A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴曉蕾;羅文;秦華;奉靖皓;倪建興 | 申請（專利權(quán)）人： | 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/52 | 分類號： | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/20 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎匯成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44566 | 代理人： | 朱業(yè)剛 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)梅林街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射頻 功率 放大 電路 | ||
本發(fā)明提供了一種射頻功率放大電路，包括第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)和所述第一接地端之間設(shè)有第一ESD保護(hù)電路；在所述第一接地端和所述第二接地端之間連接有第二ESD保護(hù)電路。本發(fā)明所射頻功率放大電路，在第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)和第一接地端之間設(shè)置第一ESD保護(hù)電路、在第一接地端和第二接地端之間設(shè)置第二ESD保護(hù)電路，使得當(dāng)ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)因靜電而存在高電壓時(shí)，不但可以通過第一ESD保護(hù)電路提供靜電釋放到地的通路，還能通過第二ESD保護(hù)電路提供流到另一條靜電釋放到地的通路，從而更有效地完成了靜電釋放，增強(qiáng)了ESD保護(hù)效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及射頻功率放大技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻功率放大電路。
背景技術(shù)
射頻功率放大器是各種無線通信應(yīng)用中必不可少的關(guān)鍵部件，用于將收發(fā)信機(jī)輸出的已調(diào)制的射頻信號進(jìn)行功率放大，以滿足無線通信所需的射頻信號功率需求。
但是，在射頻功率放大電路中，射頻功率放大器卻很容易被擊穿，原因通常為：一是集電極通常通過電感與電源相連，電感的諧振作用在晶體管集電極端會產(chǎn)生較高電壓，從而導(dǎo)致射頻功率放大器被擊穿。二是在使用含有射頻功率放大器的芯片過程中，通常因?yàn)槿梭w靜電而導(dǎo)致在芯片引腳上產(chǎn)生瞬時(shí)較高電壓，從而導(dǎo)致芯片內(nèi)部的射頻功率放大器被擊穿。
發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種射頻功率放大電路，以有效實(shí)現(xiàn)靜電釋放保護(hù)，克服射頻功率放大電路中晶體管容易被擊穿的缺陷。
于是，本發(fā)明提供了一種射頻功率放大電路，包括第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)和所述第一接地端之間設(shè)有第一ESD保護(hù)電路；在所述第一接地端和所述第二接地端之間連接有第二ESD保護(hù)電路。
進(jìn)一步地，上述射頻功率放大電路，包括第一功率放大晶體管，所述第一功率放大晶體管的第一端被配置為接收第一射頻信號，第二端被配置為輸出放大后的第一射頻信號，第三端與所述第一接地端連接；所述第一功率放大晶體管的第一端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接，或者，所述第一功率放大晶體管的第二端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接。
進(jìn)一步地，上述射頻功率放大電路，包括第一偏置電路，所述第一偏置電路包括第一偏置電源端和第一偏置晶體管，所述第一偏置電源端與所述第一偏置晶體管的第一端連接，以及通過第一分壓電壓和所述第一接地端連接，所述第一偏置晶體管的第二端與供電電源端連接，所述第一偏置晶體管的第一端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接，或者，所述第一偏置晶體管的第二端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接。
進(jìn)一步地，上述射頻功率放大電路，還包括第二功率放大晶體管，所述第二功率放大晶體管的第一端被配置為接收第二射頻信號，第二端被配置為輸出放大后的第二射頻信號，第三端與所述第二接地端連接。所述第二功率放大晶體管的第一端與第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接，或者，所述第二功率放大晶體管的第二端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接；在所述第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)和所述第二接地端之間設(shè)有第三ESD保護(hù)電路。
進(jìn)一步地，上述射頻功率放大電路，還包括第二偏置電路，所述第二偏置電路包括第二偏置電源端和第二偏置晶體管，所述第二偏置電源端與所述第二偏置晶體管的第一端連接，以及通過第二分壓電壓和所述第二接地端連接，所述第二偏置晶體管的第二端與供電電源端連接，所述第二偏置晶體管的第一端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接，或者，所述第二偏置晶體管的第二端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)連接；在所述第二ESD保護(hù)節(jié)點(diǎn)和所述第二接地端之間設(shè)有第三ESD保護(hù)電路。
進(jìn)一步地，上述射頻功率放大電路，還包括第三接地端，在與所述第一接地端和所述第三接地端之間連接有第四ESD保護(hù)電路。
所述第二ESD保護(hù)電路包括第一二極管陣列和第二二極管陣列，所述第一二極管陣列和所述第二二極管陣列反向并聯(lián)連接。
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