[發(fā)明專利]一種射頻功率放大電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110352010.1 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113037228A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 賴曉蕾;羅文;秦華;奉靖皓;倪建興 | 申請（專利權(quán)）人： | 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/52 | 分類號： | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/20 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎匯成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44566 | 代理人： | 朱業(yè)剛 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)梅林街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射頻 功率 放大 電路 | ||
1.一種射頻功率放大電路，其特征在于，包括第一ESD保護(hù)節(jié)點、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保護(hù)節(jié)點和所述第一接地端之間設(shè)有第一ESD保護(hù)電路；在所述第一接地端和所述第二接地端之間連接有第二ESD保護(hù)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大電路，其特征在于，包括第一功率放大晶體管，所述第一功率放大晶體管的第一端被配置為接收第一射頻信號，第二端被配置為輸出放大后的第一射頻信號，第三端與所述第一接地端連接；
所述第一功率放大晶體管的第一端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點連接，或者，所述第一功率放大晶體管的第二端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大電路，其特征在于，包括第一偏置電路，所述第一偏置電路包括第一偏置電源端和第一偏置晶體管，所述第一偏置電源端與所述第一偏置晶體管的第一端連接，以及通過第一分壓單元和所述第一接地端連接，所述第一偏置晶體管的第二端與第一供電電源端連接；
所述第一偏置晶體管的第一端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點連接，或，所述第一偏置晶體管的第二端與所述第一ESD保護(hù)節(jié)點連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第二功率放大晶體管，所述第二功率放大晶體管的第一端被配置為接收第二射頻信號，第二端被配置為輸出放大后的第二射頻信號，第三端與所述第二接地端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻功率放大電路，其特征在于，所述第二功率放大晶體管的第一端與第二ESD保護(hù)節(jié)點連接，或者，所述第二功率放大晶體管的第二端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點連接；
在所述第二ESD保護(hù)節(jié)點和所述第二接地端之間設(shè)有第三ESD保護(hù)電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第二偏置電路，所述第二偏置電路包括第二偏置電源端和第二偏置晶體管，所述第二偏置電源端與所述第二偏置晶體管的第一端連接，以及通過第二分壓電壓和所述第二接地端連接，所述第二偏置晶體管的第二端與第二供電電源端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻功率放大電路，其特征在于，所述第二偏置晶體管的第一端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點連接，或者，所述第二偏置晶體管的第二端與所述第二ESD保護(hù)節(jié)點連接；
在所述第二ESD保護(hù)節(jié)點和所述第二接地端之間設(shè)有所述第三ESD保護(hù)電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第三接地端，在與所述第一接地端和所述第三接地端之間連接有所述第四ESD保護(hù)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大電路，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)電路包括第一二極管陣列和第二二極管陣列，所述第一二極管陣列和所述第二二極管陣列反向并聯(lián)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻功率放大電路，其特征在于，第一二極管陣列包括至少一個第一二極管，第二二極管陣列包括至少一個第二二極管，每一所述第一二極管之間串聯(lián)連接，每一所述第二二極管之間串聯(lián)連接。
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