[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110350865.0
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113130485A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 李永亮;程曉紅;馬雪麗;楊紅;王曉磊;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/10
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；所述襯底具有多類區域；

至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，以使得所述襯底具有的每類所述區域分別形成相應類的閾值調控區域；

刻蝕所述襯底和所述半導體材料層位于各類所述閾值調控區域內的部分，以在每類所述閾值調控區域均形成沿第一方向延伸的鰭狀結構；

基于每一所述鰭狀結構，在每類所述閾值調控區域均形成晶體管，以使得位于不同類所述閾值調控區域的晶體管具有不同的閾值電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯底具有N類所述區域；其中，N為大于等于2的正整數；

在位于不同類所述閾值調控區域的所述晶體管的導電類型相同的情況下，所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：

至少在所述襯底具有的N-1類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層；位于不同類所述區域的凹槽內的所述半導體材料層的材質不同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯底具有M類第一區域，以及P類第二區域；與所述第一區域對應的所述閾值調控區域為第一閾值調控區域；與所述第二區域對應的所述閾值調控區域為第二閾值調控區域；位于所述第一閾值調控區域的晶體管的導電類型與位于所述第二閾值調控區域的所述晶體管的導電類型不同；

在M＝1，且P為大于等于2的正整數的情況下，所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：至少在所述襯底具有的P-1類所述第二區域內開設凹槽，并至少在位于每類所述第二區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層；

在M為大于等于2的正整數，且P＝1的情況下；所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：至少在所述襯底具有的M-1類所述第一區域內開設凹槽，并至少在位于每類所述第一區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層；

在M和P均為大于等于2的正整數的情況下，所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：至少在所述襯底具有的M-1類所述第一區域、以及P-1類所述第二區域內開設凹槽，并在位于每類所述第一區域和每類所述第二區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，M和P均等于1；

所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：

在所述襯底具有的所述第一區域內開設凹槽，并在位于所述第一區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層；和/或，

在所述襯底具有的所述第二區域內開設凹槽，并在位于所述第二區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層，包括：

在所述襯底上形成掩膜層，以暴露所述襯底具有的目標類區域；

在掩膜層的掩膜作用下刻蝕所述襯底位于所述目標類區域的部分，以在所述襯底具有的所述目標類區域內開設所述凹槽；

在位于所述目標類區域的所述凹槽內形成相應材質的所述半導體材料層；

重復上述步驟，直至至少在所述襯底具有的部分類所述區域內分別開設凹槽，并在位于每類所述區域的凹槽內形成相應材質的半導體材料層。