[發(fā)明專利]集成電路單元及制作有集成電路單元的晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110347171.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN113140541B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯麗巍;汪蘇偉;李恒;姚澤強(qiáng);趙君健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/50
• 分類號(hào): H01L23/50;H01L23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成電路單元，包括：

晶片，具有正面以及與該正面相對(duì)的背面，其中該正面上制作有再布線金屬層，該再布線金屬層被構(gòu)圖具有設(shè)定的第一布線圖案，該背面上制作有背面金屬層，該背面金屬層被構(gòu)圖具有第二布線圖案，所述第二布線圖案使該背面金屬層減小所述再布線金屬層對(duì)該晶片的應(yīng)力，其中，該背面金屬層被構(gòu)圖后制作成多段背面金屬走線，所述多段背面金屬走線中的那些尺寸大于等于第一設(shè)定尺寸的背面金屬走線分割為由小于等于第二設(shè)定尺寸的金屬塊拼成。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，該再布線金屬層被構(gòu)圖后制作成多段再布線金屬走線，該多段再布線金屬走線的布圖圖案構(gòu)成所述設(shè)定的第一布線圖案。

3.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，該多段背面金屬走線的走線軌跡構(gòu)成所述第二布線圖案。

4.如權(quán)利要求3所述的集成電路單元，其中，所述第二布線圖案與所述第一布線圖案相同。

5.如權(quán)利要求3所述的集成電路單元，其特征在于，在所述背面的與所述正面相對(duì)應(yīng)的位置處，所述背面上的所述第二布線圖案與所述正面上的所述第一布線圖案相同。

6.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，所述第一設(shè)定尺寸為400μm。

7.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，所述第二設(shè)定尺寸為200μm。

8.如權(quán)利要求3-5其中之一所述的集成電路單元，其中，所述多段背面金屬走線中的每段背面金屬走線分割為由小于等于第二設(shè)定尺寸的金屬塊拼成。

9.如權(quán)利要求8所述的集成電路單元，其中，所述第二設(shè)定尺寸為200μm。

10.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，所述背面金屬層的厚度在7μm-20μm的范圍。

11.如權(quán)利要求1所述的集成電路單元，其中，所述背面金屬層包括貼附所述背面的第一金屬層和制作于該第一金屬層上的第二金屬層，該第二金屬層的厚度小于該第一金屬層的厚度。

12.一種制作有集成電路單元的晶圓，包括：

第一表面，該第一表面上制作有再布線金屬層，該再布線金屬層被構(gòu)圖具有設(shè)定的再布線金屬層圖案；以及

第二表面，與該第一表面相對(duì)，其中該第二表面上制作有背面金屬層，該背面金屬層被構(gòu)圖具有背面金屬層圖案，所述背面金屬層圖案使該背面金屬層減小所述再布線金屬層對(duì)該晶圓的應(yīng)力，其中該背面金屬層被構(gòu)圖后制作成多段背面金屬走線，所述多段背面金屬走線中的那些尺寸大于等于第一設(shè)定尺寸的背面金屬走線分割為由小于等于第二設(shè)定尺寸的金屬塊拼成。

13.如權(quán)利要求12所述的晶圓，其中，該再布線金屬層被構(gòu)圖后制作成多段再布線金屬走線，該多段再布線金屬走線的布圖圖案構(gòu)成所述設(shè)定的再布線金屬層圖案。

14.如權(quán)利要求12所述的晶圓，其中，該多段背面金屬走線的走線軌跡構(gòu)成所述背面金屬層圖案。

15.如權(quán)利要求14所述的晶圓，其中，所述背面金屬層圖案與所述再布線金屬層圖案相同。

16.如權(quán)利要求14所述的晶圓，其特征在于，在所述第二表面的與所述第一表面相對(duì)應(yīng)的位置處，所述第二表面上的所述背面金屬層圖案與所述第一表面上的所述再布線金屬層圖案相同。

17.如權(quán)利要求12所述的晶圓，其中，所述第一設(shè)定尺寸為400μm。

18.如權(quán)利要求12所述的晶圓，其中，所述第二設(shè)定尺寸為200μm。