[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110346338.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN113851486A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫尙佑;文然建;金明花;金兌相;樸根徹;樸晙皙;林俊亨;崔惠臨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 習(xí)瑞恒;全振永

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置。為了實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管基板內(nèi)載流子遷移率增加的薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置，本發(fā)明的薄膜晶體管基板包括：有源層，布置于基板上，并且包括第一半導(dǎo)體物質(zhì)層、布置于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上并包括金屬原子的導(dǎo)體層以及布置于所述導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體物質(zhì)層；柵極絕緣層，布置于所述有源層上；以及柵極電極，布置于所述柵極絕緣層上，并且至少一部分重疊于所述有源層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示裝置是可視地顯示數(shù)據(jù)的裝置。顯示裝置被用作諸如移動(dòng)電話等的小型產(chǎn)品的顯示器，也被用作諸如電視等的大型產(chǎn)品的顯示器。

為了向外部顯示圖像，顯示裝置包括接收電信號(hào)而發(fā)光的多個(gè)像素。各個(gè)像素包括發(fā)光元件，例如對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況而言，其包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為發(fā)光元件。通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置在基板上形成薄膜晶體管及有機(jī)發(fā)光二極管，并且有機(jī)發(fā)光二極管通過(guò)自身發(fā)光來(lái)進(jìn)行操作。

最近，隨著顯示裝置的用途多樣化，正嘗試提高顯示裝置的質(zhì)量的多樣設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明用于解決多種問題，其目的在于提供一種薄膜晶體管的載流子遷移率增加的薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置。然而，該技術(shù)問題僅為示例性的，本發(fā)明的范圍并不局限于此。

根據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，提供一種薄膜晶體管基板，包括：有源層，布置于基板上，并且包括第一半導(dǎo)體物質(zhì)層、布置于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上并包括金屬原子的導(dǎo)體層以及布置于所述導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體物質(zhì)層；柵極絕緣層，布置于所述有源層上；以及柵極電極，布置于所述柵極絕緣層上，并且至少一部分重疊于所述有源層。

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層及所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層中的至少一個(gè)可以包括氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)。

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層及所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層可以包括ITZO(InSnZnO)半導(dǎo)體層、InSnGaZnO半導(dǎo)體層、InSnTiZnO半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)。

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層及所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層中的至少一個(gè)的厚度可以大于所述導(dǎo)體層的厚度。

根據(jù)一示例，所述導(dǎo)體層的厚度可以為至

根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，提供一種顯示裝置，包括：第一薄膜晶體管，布置于基板上，并且包括第一有源層及第一柵極電極；以及發(fā)光元件，與所述第一薄膜晶體管電連接，其中，所述第一有源層包括第一半導(dǎo)體物質(zhì)層、布置于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上并包括金屬原子的第一導(dǎo)體層以及布置于所述第一導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體物質(zhì)層。

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層及所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層中的至少一個(gè)的厚度可以大于所述第一導(dǎo)體層的厚度。

根據(jù)一示例，還可以包括：第二薄膜晶體管，布置于所述基板上，并且包括第二有源層及第二柵極電極。

根據(jù)一示例，所述第二有源層可以包括第三半導(dǎo)體物質(zhì)層、布置于所述第三半導(dǎo)體物質(zhì)層上并包括金屬原子的第二導(dǎo)體層以及布置于所述第二導(dǎo)體層上的第四半導(dǎo)體物質(zhì)層。

根據(jù)一示例，所述第三半導(dǎo)體物質(zhì)層及所述第四半導(dǎo)體物質(zhì)層中的至少一個(gè)的厚度可以大于所述第二導(dǎo)體層的厚度。

根據(jù)一示例，所述第一導(dǎo)體層及所述第二導(dǎo)體層中的至少一個(gè)的厚度可以為至

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層至第四半導(dǎo)體物質(zhì)層中的至少一個(gè)可以包括氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)。

根據(jù)一示例，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層至第四半導(dǎo)體物質(zhì)層可以包括ITZO(InSnZnO)半導(dǎo)體層、InSnGaZnO半導(dǎo)體層、InSnTiZnO半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)。