[發明專利]薄膜晶體管基板及配備該薄膜晶體管基板的顯示裝置

在審

• 申請號: 202110346338.2
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113851486A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 孫尙佑;文然建;金明花;金兌相;樸根徹;樸晙皙;林俊亨;崔惠臨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 習瑞恒;全振永

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

有源層，布置于基板上，并且包括第一半導體物質層、布置于所述第一半導體物質層上并包括金屬原子的導體層以及布置于所述導體層上的第二半導體物質層；

柵極絕緣層，布置于所述有源層上；以及

柵極電極，布置于所述柵極絕緣層上，并且至少一部分重疊于所述有源層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第一半導體物質層及所述第二半導體物質層中的至少一個包括氧化物半導體物質。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第一半導體物質層及所述第二半導體物質層包括InSnZnO半導體層、InSnGaZnO半導體層、InSnTiZnO半導體層中的至少一個。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述第一半導體物質層及所述第二半導體物質層中的至少一個的厚度大于所述導體層的厚度。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，

所述導體層的厚度為至

6.一種顯示裝置，包括：

第一薄膜晶體管，布置于基板上，并且包括第一有源層及第一柵極電極；以及

發光元件，與所述第一薄膜晶體管電連接，

其中，所述第一有源層包括第一半導體物質層、布置于所述第一半導體物質層上并包括金屬原子的第一導體層以及布置于所述第一導體層上的第二半導體物質層。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，

所述第一半導體物質層及所述第二半導體物質層中的至少一個的厚度大于所述第一導體層的厚度。

8.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，還包括：

第二薄膜晶體管，布置于所述基板上，并且包括第二有源層及第二柵極電極。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，

所述第二有源層包括第三半導體物質層、布置于所述第三半導體物質層上并包括金屬原子的第二導體層以及布置于所述第二導體層上的第四半導體物質層。

10.根據權利要求9所述的顯示裝置，其中，

所述第三半導體物質層及所述第四半導體物質層中的至少一個的厚度大于所述第二導體層的厚度。

11.根據權利要求9所述的顯示裝置，其中，

所述第一導體層及所述第二導體層中的至少一個的厚度為至

12.根據權利要求9所述的顯示裝置，其中，

所述第一半導體物質層至第四半導體物質層中的至少一個包括氧化物半導體物質。

13.根據權利要求12所述的顯示裝置，其中，

所述第一半導體物質層至第四半導體物質層包括InSnZnO半導體層、InSnGaZnO半導體層、InSnTiZnO半導體層中的至少一個。

14.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，

所述第二有源層為單層。

15.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，

所述第二有源層包括硅半導體物質。

16.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，還包括：

存儲電容器，布置于所述基板上，并且包括以相互重疊的方式布置的第一電極及第二電極；以及

驅動電壓線，與所述存儲電容器電連接，

其中，所述存儲電容器存儲與施加到所述驅動電壓線的第一電壓和施加到所述第二薄膜晶體管的第二電壓之差對應的電壓。