[發明專利]流體飽和參數的確定方法、裝置和計算機設備有效
| 申請號: | 202110345901.4 | 申請日: | 2021-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN113175321B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 謝偉彪;殷秋麗;司兆偉 | 申請(專利權)人: | 中國石油天然氣股份有限公司 |
| 主分類號: | E21B49/00 | 分類號: | E21B49/00;G01N24/08;G01V3/32;G01V3/14 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 侯曉雅 |
| 地址: | 100007 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 飽和 參數 確定 方法 裝置 計算機 設備 | ||
本申請提供了一種流體飽和參數的確定方法、裝置和計算機設備,屬于儲層評價技術領域。方法包括:確定待研究地區的目標儲層;對于目標儲層的每個深度,基于待研究地區的標準井的目標井段的一維核磁共振測井資料,確定目標儲層在深度的第一圖譜;獲取目標儲層的多個巖樣的核磁共振實驗數據,核磁共振實驗數據為通過多個巖樣的核磁共振實驗得到的;對于每個巖樣,基于巖樣的核磁共振實驗數據,確定巖樣的第二圖譜;基于多個巖樣的第二圖譜,確定目標儲層在深度的第一參數矩陣;基于第一圖譜和第一參數矩陣,確定目標孔隙的流體飽和參數,該方法降低了確定目標孔隙的流體飽和參數的成本。
技術領域
本申請涉及儲層評價技術領域,特別涉及一種流體飽和參數的確定方法、裝置和計算機設備。
背景技術
在儲層開發過程中,儲層中孔隙的流體飽和度是評價儲層的核心內容,關系到儲層參數計算、儲層儲量計算、儲層油藏描述和儲層開發方案的制定;因此,確定儲層中孔隙的流體飽和參數,對于高效的開發儲層十分重要。
相關技術中,主要利用二維核磁共振測井方法來確定儲層中孔隙的流體飽和度,該方法首先對巖樣進行二維核磁共振實驗,確定二維核磁共振圖譜上束縛水、油氣等區域規律,然后根據該區域規律對二維核磁共振圖譜進行區域劃分,進而基于劃分的區域確定儲層總孔隙的流體飽和度。由于進行二維核磁共振實驗時和二維核磁共振測井時分別需要在兩個維度上進行實驗和測井,而分別在兩個維度上進行實驗和測井的實驗儀器和測井儀器價格昂貴,導致二維核磁共振測井的費用較高,使得確定儲層中孔隙的流體飽和度的成本較高。
發明內容
本申請實施例提供了一種流體飽和參數的確定方法、裝置和計算機設備,能夠降低確定儲層中孔隙的流體飽和參數的成本。所述技術方案如下:
一方面,提供了一種流體飽和參數的確定方法,所述方法包括:
確定待研究地區的目標儲層;
對于所述目標儲層的每個深度,基于所述待研究地區的標準井的目標井段的一維核磁共振測井資料,確定所述目標儲層在所述深度的第一圖譜,所述一維核磁共振測井資料為通過所述目標井段的一維核磁共振測井工程得到的,所述目標井段為與所述目標儲層深度對應的標準井的井段,所述第一圖譜為孔隙參數與時間之間的關系曲線;
獲取所述目標儲層的多個巖樣的核磁共振實驗數據,所述核磁共振實驗數據為通過所述多個巖樣的核磁共振實驗得到的;
對于每個巖樣,基于所述巖樣的核磁共振實驗數據,確定所述巖樣的第二圖譜,所述第二圖譜為孔隙參數與時間之間的關系曲線;
基于所述多個巖樣的第二圖譜,確定所述目標儲層在所述深度的第一參數矩陣;
基于所述第一圖譜和所述第一參數矩陣,確定目標孔隙的流體飽和參數,所述目標孔隙為所述目標儲層在所述深度的孔隙。
在一種可能的實現方式中,所述巖樣的核磁共振實驗數據包括所述巖樣在不同的回波間隔時間的飽和參數水核磁共振實驗數據、離心核磁共振實驗數據和飽和參數油核磁共振實驗數據;
所述基于所述巖樣的核磁共振實驗數據,確定所述巖樣的第二圖譜,包括:
基于所述巖樣分別在第一回波間隔時間和第二回波間隔時間下的飽和參數水核磁共振實驗數據,確定所述巖樣的第一飽和參數水圖譜和第二飽和參數水圖譜;
基于所述巖樣分別在所述第一回波間隔時間和所述第二回波間隔時間下的離心核磁共振實驗數據,確定所述巖樣的第一離心圖譜和第二離心圖譜;
基于所述巖樣分別在所述第一回波間隔時間和所述第二回波間隔時間下的飽和參數油核磁共振實驗數據,確定所述巖樣的第一飽和參數油圖譜和第二飽和參數油圖譜;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油天然氣股份有限公司,未經中國石油天然氣股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110345901.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





