[發(fā)明專利]納秒刀校準(zhǔn)方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110343557.5
• 申請(qǐng)日: 2021-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN115137470A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巫彤寧;楊蕾;姜昊宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)信息通信研究院
• 主分類號(hào): A61B18/12
• 分類號(hào): A61B18/12
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 侯天印;郝博

本發(fā)明提供了一種納秒刀校準(zhǔn)方法及裝置，涉及納秒刀技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：利用電場(chǎng)探頭獲取目標(biāo)容器內(nèi)介質(zhì)的電場(chǎng)數(shù)據(jù)；電場(chǎng)數(shù)據(jù)由納秒刀發(fā)送至目標(biāo)容器內(nèi)；根據(jù)電場(chǎng)數(shù)據(jù)生成納秒刀的電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)；根據(jù)電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)和預(yù)設(shè)校準(zhǔn)范圍確定納秒刀校準(zhǔn)結(jié)果。本發(fā)明實(shí)施例可以對(duì)納秒刀進(jìn)行校準(zhǔn)，以便篩選符合精準(zhǔn)度要求的納秒刀。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及納秒刀技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種納秒刀校準(zhǔn)方法及裝置。

背景技術(shù)

癌癥是當(dāng)前人類死亡的第二大原因，全球近六分之一的死亡都是由癌癥引起的。現(xiàn)在相對(duì)應(yīng)的癌癥治療技術(shù)中，微創(chuàng)腫瘤消融治療由于其創(chuàng)傷小，快速準(zhǔn)確消除腫瘤以及可重復(fù)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為臨床患者青睞的治療方法。隨著全球范圍微創(chuàng)腫瘤消融治療的迅速發(fā)展，微波，射頻，冷凍，納米刀等微創(chuàng)方法已經(jīng)逐步地被運(yùn)用在各種腫瘤地治療中，微創(chuàng)腫瘤消融也將逐漸成為未來腫瘤治療的主流療法之一。

目前獲得廣泛使用的醫(yī)學(xué)影像引導(dǎo)下的微秒脈沖電場(chǎng)納米刀消融術(shù)，是基于可逆電穿孔原理(RE)，形成可逆的電穿孔并結(jié)合局部給藥來治療腫瘤組織；或者基于不可逆電穿孔原理(IRE)的治療方法，即通過高壓電場(chǎng)以高頻脈沖的形式作用在腫瘤細(xì)胞膜的磷脂雙分子層上，使得細(xì)胞膜產(chǎn)生永久納米孔，細(xì)胞內(nèi)部與組織液連通，物質(zhì)外流導(dǎo)致細(xì)胞產(chǎn)生不可逆損傷并造成細(xì)胞凋亡，從而快速消融腫瘤細(xì)胞。

在研究微秒脈沖電場(chǎng)(μsPEF)可逆電穿孔和不可逆電穿孔的基礎(chǔ)上，通過進(jìn)一步調(diào)整脈沖電場(chǎng)的參數(shù)還可以調(diào)控并誘導(dǎo)出不同的細(xì)胞響應(yīng)。當(dāng)施加的脈沖電場(chǎng)的脈寬減小到納秒級(jí)別而場(chǎng)強(qiáng)增加至兆伏每米級(jí)別時(shí)，細(xì)胞膜表面將不會(huì)發(fā)生明顯的不可逆穿孔現(xiàn)象，但是其細(xì)胞器如細(xì)胞核和線粒體卻可能出現(xiàn)一些功能性的改變，并且誘導(dǎo)細(xì)胞發(fā)生凋亡，從而間接的殺傷腫瘤細(xì)胞。這種脈沖產(chǎn)生的生物電效應(yīng)與不可逆電穿孔有所區(qū)別。納秒脈沖電場(chǎng)(nsPEF)療法通過誘導(dǎo)凋亡的方式治療腫瘤，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外生物電磁治療腫瘤方面的研究熱點(diǎn)。納秒脈沖技術(shù)相比于微秒脈沖技術(shù)具有更強(qiáng)的延展性與可操作性。

納秒刀是納秒脈沖技術(shù)中必不可少的設(shè)備，由于納秒脈沖技術(shù)對(duì)納秒刀的精準(zhǔn)度要求很高，因此，需要選取合格的納秒刀使用，然而目前尚未提出更優(yōu)的納秒刀校準(zhǔn)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種納秒刀校準(zhǔn)方法及裝置，可以對(duì)納秒刀進(jìn)行校準(zhǔn)，以便篩選符合精準(zhǔn)度要求的納秒刀。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種納秒刀校準(zhǔn)方法，該方法包括：利用電場(chǎng)探頭獲取目標(biāo)容器內(nèi)介質(zhì)的電場(chǎng)數(shù)據(jù)；所述電場(chǎng)數(shù)據(jù)由所述納秒刀發(fā)送至所述目標(biāo)容器內(nèi)；根據(jù)所述電場(chǎng)數(shù)據(jù)生成所述納秒刀的電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)；根據(jù)所述電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)和預(yù)設(shè)校準(zhǔn)范圍確定納秒刀校準(zhǔn)結(jié)果。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種納秒刀校準(zhǔn)裝置，該裝置包括：獲取模塊，用于利用電場(chǎng)探頭獲取目標(biāo)容器內(nèi)介質(zhì)的電場(chǎng)數(shù)據(jù)；所述電場(chǎng)數(shù)據(jù)由所述納秒刀發(fā)送至所述目標(biāo)容器內(nèi)；參數(shù)模塊，用于根據(jù)所述電場(chǎng)數(shù)據(jù)生成所述納秒刀的電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)；校準(zhǔn)模塊，用于根據(jù)所述電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)和預(yù)設(shè)校準(zhǔn)范圍確定納秒刀校準(zhǔn)結(jié)果。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述納秒刀校準(zhǔn)方法。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有執(zhí)行上述納秒刀校準(zhǔn)方法的計(jì)算機(jī)程序。

本發(fā)明實(shí)施例帶來了以下有益效果：本發(fā)明實(shí)施例提供了一種納秒刀校準(zhǔn)方案，該方案包括：利用電場(chǎng)探頭獲取目標(biāo)容器內(nèi)介質(zhì)的電場(chǎng)數(shù)據(jù)；電場(chǎng)數(shù)據(jù)由納秒刀發(fā)送至目標(biāo)容器內(nèi)；根據(jù)電場(chǎng)數(shù)據(jù)生成納秒刀的電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)；根據(jù)電場(chǎng)校準(zhǔn)參數(shù)和預(yù)設(shè)校準(zhǔn)范圍確定納秒刀校準(zhǔn)結(jié)果。本發(fā)明實(shí)施例可以對(duì)納秒刀進(jìn)行校準(zhǔn)，以便篩選符合精準(zhǔn)度要求的納秒刀。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。