[發明專利]一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110340232.1 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113097232A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 范文志;李瑤;朱超;萬云海;劉家昌;曹曙光;淮兆祥;施文峰;蔡偉民 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明實施例公開一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置。該顯示面板包括襯底;設置于襯底同側的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容;存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于第一電極和第二電極之間的絕緣層,且第二電極設置于第一電極遠離襯底的一側;第一電極與第一薄膜晶體管的第一柵電極同層設置;第二電極與第二薄膜晶體管的第二柵電極同層設置;絕緣層在襯底上的垂直投影與第二薄膜晶體管在襯底上的垂直投影不交疊。本發明實施例提出的技術方案提高了第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的可靠性和穩定性,解決現有顯示面板存在的工藝復雜以及不同類型的薄膜晶體管相互干擾影響顯示效果的問題。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展以及人們生活水平的提高,對顯示面板的要求越來越高。現有的顯示裝置包括像素電路和用于驅動像素電路的驅動電路,像素電路和驅動電路均包括薄膜晶體管,日趨輕薄化的顯示裝置需要將不同類型的薄膜晶體管制作在同一襯底上,然而現有的顯示面板存在工藝復雜以及制得的不同類型的薄膜晶體管相互干擾影響顯示效果的問題。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置,以解決現有的顯示面板存在的工藝復雜以及不同類型的薄膜晶體管相互干擾影響顯示效果的問題。
為實現上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
第一方面,本發明實施例提供一種顯示面板,包括:
襯底;
設置于襯底同側的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容;
存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于第一電極和第二電極之間的絕緣層,且第二電極設置于第一電極遠離襯底的一側;第一電極與第一薄膜晶體管的第一柵電極同層設置;第二電極與第二薄膜晶體管的第二柵電極同層設置;
絕緣層在襯底上的垂直投影與第二薄膜晶體管在襯底上的垂直投影不交疊。
進一步的,第一薄膜晶體管還包括設置于第一柵電極鄰近襯底一側的第一有源層,以及設置于第一有源層和第一柵電極之間的第一柵絕緣層;
第二薄膜晶體管還包括設置于第二柵電極鄰近襯底一側的第二有源層,以及設置于第二有源層和第二柵電極之間的第二柵絕緣層;
第二有源層設置于第一柵絕緣層遠離襯底的一側。
進一步的,第二柵絕緣層在襯底上的垂直投影與第一薄膜晶體管在襯底上的垂直投影不交疊。
進一步的,第一柵絕緣層與第二柵絕緣層的材料不同;
第二柵絕緣層的材料與絕緣層的材料不同。
進一步的,第一柵電極復用為第一電極。
進一步的,第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管,第二薄膜晶體管為氧化物半導體薄膜晶體管。
第二方面,本發明實施例提供一種顯示面板的制作方法,包括:
提供襯底;
在襯底的同側制作第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容;其中,存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于第一電極和第二電極之間的絕緣層,且第二電極設置于第一電極遠離襯底的一側;第一電極與第一薄膜晶體管的第一柵電極同層設置;第二電極與第二薄膜晶體管的第二柵電極同層設置;絕緣層在襯底上的垂直投影與第二薄膜晶體管在襯底上的垂直投影不交疊。
進一步的,在襯底的同側制作第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容,包括:
在襯底上形成第一薄膜晶體管的第一有源層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





