[發明專利]一種顯示面板、顯示面板的制作方法及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110340232.1
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113097232A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 范文志;李瑤;朱超;萬云海;劉家昌;曹曙光;淮兆祥;施文峰;蔡偉民
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

設置于所述襯底同側的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容；

所述存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層，且所述第二電極設置于所述第一電極遠離所述襯底的一側；所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的第一柵電極同層設置；所述第二電極與所述第二薄膜晶體管的第二柵電極同層設置；

所述絕緣層在所述襯底上的垂直投影與所述第二薄膜晶體管在所述襯底上的垂直投影不交疊。

2.根據權利要求1所述顯示面板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管還包括設置于所述第一柵電極鄰近所述襯底一側的第一有源層，以及設置于所述第一有源層和所述第一柵電極之間的第一柵絕緣層；

所述第二薄膜晶體管還包括設置于所述第二柵電極鄰近所述襯底一側的第二有源層，以及設置于所述第二有源層和所述第二柵電極之間的第二柵絕緣層；

所述第二有源層設置于所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側。

3.根據權利要求2所述顯示面板，其特征在于，

所述第二柵絕緣層在所述襯底上的垂直投影與所述第一薄膜晶體管在所述襯底上的垂直投影不交疊。

4.根據權利要求2所述顯示面板，其特征在于，

所述第一柵絕緣層與所述第二柵絕緣層的材料不同；

所述第二柵絕緣層的材料與所述絕緣層的材料不同。

5.根據權利要求1所述顯示面板，其特征在于，

所述第一柵電極復用為所述第一電極。

6.根據權利要求1所述顯示面板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為氧化物半導體薄膜晶體管。

7.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底的同側制作第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容；其中，所述存儲電容包括第一電極、第二電極以及設置于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層，且所述第二電極設置于所述第一電極遠離所述襯底的一側；所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的第一柵電極同層設置；所述第二電極與所述第二薄膜晶體管的第二柵電極同層設置；所述絕緣層在所述襯底上的垂直投影與所述第二薄膜晶體管在所述襯底上的垂直投影不交疊。

8.根據權利要求7所述顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底的同側制作第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及存儲電容，包括：

在所述襯底上形成第一薄膜晶體管的第一有源層；

在所述第一有源層遠離所述襯底的一側形成第一薄膜晶體管的第一柵絕緣層；

在所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側形成第二薄膜晶體管的第二有源層；

在所述第二有源層遠離所述襯底的一側形成第二薄膜晶體管的第二柵絕緣層；

在所述第二柵絕緣層遠離所述襯底的一側形成第一薄膜晶體管的第一柵電極和存儲電容的第一電極；

在所述第一柵電極遠離所述襯底的一側形成絕緣層，其中，所述絕緣層在所述襯底上的垂直投影與所述第二有源層在所述襯底上的垂直投影不交疊；

在所述絕緣層遠離所述襯底的一側形成第二薄膜晶體管的第二柵電極和所述存儲電容的第二電極。

9.根據權利要求8所述顯示面板的制作方法，其特征在于，

所述在所述第二有源層遠離所述襯底的一側形成第二柵絕緣層，包括：

在所述第二有源層遠離所述襯底的一側形成柵極材料層；

圖案化所述柵極材料層，形成所述第二柵電極絕緣層，其中，所述第二柵絕緣層在所述襯底上的垂直投影與所述第一有源層在所述襯底上的垂直投影不交疊；

在所述第二柵絕緣層遠離所述襯底的一側形成第一柵電極和存儲電容的第一電極，包括：

所述第一柵電極復用為所述第一電極。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至6任一所述的顯示面板。