[發明專利]熱處理裝置在審
| 申請號: | 202110339403.9 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113808967A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 小野寺勝也;笠次克尚;西岡昌浩;青栁圭太 | 申請(專利權)人: | 光洋熱系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;楊俊波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
本發明提供熱處理裝置,在立式的熱處理裝置中,能夠抑制從容器底側的開口部散熱,并且減小底部區域中的水平方向上的熱偏差,還能夠使熱處理裝置的制造成本和運用成本更低價。熱處理裝置(1)具有:立式的管(3),其在下端部配置有用于被處理物(100)出入的開口部(34);加熱器(22),其配置于管(3)的周圍;物架(43),其具有在上下方向上分離地設置有多個用于支承被處理物(100)的支承部(51)的結構,該物架(43)在管(3)內對多個被處理物(100)進行保持;以及熱射線反射部件(5),其在上下方向上配置于最下側的被處理物(100)的下方,用于使來自加熱器(22)的熱射線向被支承于物架(43)的被處理物(100)反射。
技術領域
本發明涉及用于在加熱了的氣氛下對被處理物進行處理的熱處理裝置。
背景技術
公知有用于對半導體制造用的晶片進行熱處理的熱處理裝置(例如,參照日本特開2005-217383號公報)。
日本特開2005-217383號公報中記載的熱處理裝置是立式爐。該立式爐具有配置于爐體內的石英的熱處理容器。在該容器內,搬入有載置于晶舟上的半導體晶片等多個被處理基板。然后,在利用惰性氣體對容器內進行氣體清洗后,向容器內注入處理氣體來進行熱處理。在這樣的立式的熱處理裝置中,在容器的底部形成有開口部,形成了被處理基板的出入口。在熱處理裝置中,容易從該開口部散熱,因此通過在上述的開口部沿垂直方向排列多片水平朝向的隔熱板來形成絕熱構造,以抑制熱處理中的散熱。
如上所述,要求抑制從立式爐的容器底側的開口部散熱。作為這樣的結構,除了日本特開2005-217383號公報中記載的結構之外,也考慮了將內包有石英棉的石英制的盒設置于容器底側的開口部的結構。另外,作為又一結構,也考慮了在容器底側的開口部,將水平配置的絕熱用的翅片沿上下配置多片,并且設置副加熱器的結構。副加熱器是與設置在容器的周圍以對容器內的氣氛進行加熱的加熱器不同的加熱器。
上述的石英盒具有高絕熱性能,因此抑制從開口部散熱的效果高,但另一方面,其制造成本高。另外,上述的使用副加熱器的結構與使用石英盒的結構相比,絕熱性能差。但是,能夠借助副加熱器發揮開口部的保溫功能,并且能夠發揮作為開口部附近的區域的底部區域的均熱功能(減小水平方向上的溫度分布的偏差的功能)。底部區域的均熱性對于配置在底部區域側的被處理基板中的熱處理品質的均勻性很重要。但是,由于需要設置副加熱器,因此制造成本和電費等運用成本高。
發明內容
鑒于上述情況,本發明的目的在于,在立式的熱處理裝置中,能夠抑制從容器底側的開口部散熱,并且減小底部區域中的水平方向上的熱偏差,還能夠使熱處理裝置的制造成本和運用成本更低價。
(1)為了解決上述課題,本發明的某一方面的熱處理裝置具有:立式的容器,其在下端部配置有用于被處理物出入的開口部;加熱器,其配置于所述容器的周圍;物架,其具有在上下方向上分離地設置有多個用于支承所述被處理物的支承部的結構,該物架在所述容器內對多個所述被處理物進行保持;以及熱射線反射部件,其在所述上下方向上配置于最下側的所述被處理物的下方,用于使來自所述加熱器的熱射線向被支承于所述物架的所述被處理物反射。
根據該結構,在最下側的被處理物的下方配置有熱射線反射部件。熱射線反射部件能夠使來自配置于容器的周圍的加熱器的熱射線朝向被處理物反射。由此,能夠抑制從容器底側的開口部散熱,其結果為,能夠使配置于最下側的被處理物內的溫度差(溫度的最高值與最小值之差)更加均等。即,能夠發揮作為容器底側的開口部附近的區域的底部區域的均熱功能(水平方向上的溫度分布的偏差小)。而且,由于采用設置熱射線反射部件的簡單結構即可,因此無需為了抑制從容器底側的開口部散熱而使用制造成本高的石英盒,能夠降低熱處理裝置的制造成本。而且,由于即使不在容器底側的開口部設置副加熱器也能夠提高底部區域的均熱性,因此能夠降低熱處理裝置的制造成本,并且能夠降低電費等運用成本。根據以上的情況,在立式的熱處理裝置中,能夠抑制從容器底側的開口部散熱,并且減小底部區域中的水平方向上的熱偏差,還能夠使熱處理裝置的制造成本和運用成本更低價。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





