[發明專利]熱處理裝置在審
| 申請號: | 202110339403.9 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113808967A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 小野寺勝也;笠次克尚;西岡昌浩;青栁圭太 | 申請(專利權)人: | 光洋熱系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;楊俊波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種熱處理裝置,其具有:
立式的容器,其在下端部配置有用于被處理物出入的開口部;
加熱器,其配置于所述容器的周圍;
物架,其具有在上下方向上分離地設置有多個用于支承所述被處理物的支承部的結構,該物架在所述容器內對多個所述被處理物進行保持;以及
熱射線反射部件,其在所述上下方向上配置于最下側的所述被處理物的下方,用于使來自所述加熱器的熱射線向被支承于所述物架的所述被處理物反射。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述加熱器包含有:
底部加熱器,其配置為包圍所述熱射線反射部件;以及
中心加熱器,其配置于該底部加熱器的上方,能夠成為與所述底部加熱器的溫度不同的溫度。
3.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其中,
所述底部加熱器在所述上下方向上具有規定的長度,
所述熱射線反射部件在所述上下方向上配置在從所述底部加熱器的下端往上所述長度的5/12~11/12的范圍內。
4.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述熱射線反射部件為1片板。
5.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述熱處理裝置還具有熱屏障,該熱屏障在所述容器內在所述物架的下方配置于所述開口部的周圍,
所述熱射線反射部件配置于所述熱屏障的上方。
6.根據權利要求5所述的熱處理裝置,其中,
所述熱屏障包含有沿所述上下方向排列有多個的超耐溫微晶玻璃部件。
7.根據權利要求1至6中的任意一項所述的熱處理裝置,其中,
所述熱射線反射部件配置為從所述上下方向觀察時避開被所述支承部支承的所述被處理物的四角。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于光洋熱系統股份有限公司,未經光洋熱系統股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110339403.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:動態激光雷達對準
- 下一篇:用于執行對象檢測的電子裝置及其操作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





