[發(fā)明專利]封裝結構散熱優(yōu)化方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設備在審

申請?zhí)枺?/td>	202110337921.7	申請日：	2021-03-30
公開（公告）號：	CN113139277A	公開（公告）日：	2021-07-20
發(fā)明（設計）人：	孫成思;孫日欣;黃健;劉小剛	申請（專利權）人：	深圳佰維存儲科技股份有限公司
主分類號：	G06F30/20	分類號：	G06F30/20;G06F119/08
代理公司：	深圳市博銳專利事務所 44275	代理人：	歐陽燕明
地址：	518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	封裝結構散熱優(yōu)化方法裝置可讀存儲介質(zhì) 電子設備
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【說明書】：

本發(fā)明公開了一種封裝結構散熱優(yōu)化方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設備，確定待優(yōu)化eMCP芯片的多個散熱因素，基于每個散熱因素分別設置的多個水平值設置正交實驗，設置正交實驗只需要對少量實驗組合進行仿真測試，在封裝材料的導熱性能沒有得到很大的提升情況下，通過該方法能夠減少實驗組數(shù)，得到相對準確的結果；對不同的熱仿真實驗組合建立對應結構的eMCP三維模型，計算得到熱仿真情況下每一三維模型的最高芯片溫度；將所有最高芯片溫度進行統(tǒng)計分析，獲取多個散熱關鍵因素對待優(yōu)化eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果，能夠降低產(chǎn)品在封裝設計中出現(xiàn)的失敗風險，提高封裝產(chǎn)品的可靠性和封裝效率。

技術領域

本發(fā)明涉及封裝結構散熱優(yōu)化技術領域，特別涉及一種封裝結構散熱優(yōu)化方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設備。

背景技術

隨著智能穿戴、車載電子設備等電子產(chǎn)品的迅猛發(fā)展，eMCP(embedded Multi-Chip Package，嵌入式多制層封裝芯片)等嵌入式芯片運用到越來越多的電子產(chǎn)品中，芯片單位體積內(nèi)晶體管數(shù)目成倍增長，集成度越來越高，導致芯片的功耗也越來越大。但同時在追求更小體積的情況下，嵌入式芯片封裝則追求更小的封裝面積比，即單位面積內(nèi)能夠放置更多芯片，在高密度的封裝下，芯片之間緊密相連，產(chǎn)生更大熱功耗，導致電子產(chǎn)品的溫度上升，溫度在高溫下會降低電子元器件的可靠性，縮短電子元器件的壽命，導致電子產(chǎn)品失效，因此，散熱進一步制約了封裝產(chǎn)品的集成化和小型化，散熱已經(jīng)成為封裝設計中亟待解決的問題。

目前，在產(chǎn)品生產(chǎn)前進行芯片封裝的熱管理已經(jīng)成為不可或缺的一部分，在使用高導熱的材料的同時，通過對產(chǎn)品的結構參數(shù)的優(yōu)化成為了管理封裝產(chǎn)品熱管理的新型方式。

結構參數(shù)的優(yōu)化是有效提升封裝產(chǎn)品散熱的新途徑，但是常規(guī)步驟是先設計產(chǎn)品結構，再進行熱測試，會造成大量的人力物力浪費，耗費大量測試成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題是：提供一種封裝結構散熱優(yōu)化方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設備，能夠高效地進行散熱優(yōu)化。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案為：

一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，包括步驟：

獲取待優(yōu)化的eMCP芯片的多個散熱關鍵因素，根據(jù)所述多個散熱關鍵因素及其對應的多個水平值進行正交實驗，獲得多組熱仿真實驗組合；

根據(jù)每一組所述熱仿真實驗組合建立對應結構的eMCP三維模型；

將每一組所述eMCP三維模型在相同環(huán)境下進行熱仿真并獲取每一組所述eMCP三維模型的芯片最高溫度；

對獲取的所有所述eMCP三維模型的芯片最高溫度進行統(tǒng)計分析，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一種技術方案為：

一種封裝結構散熱優(yōu)化裝置，包括：