[發(fā)明專利]封裝結構散熱優(yōu)化方法、裝置、可讀存儲介質及電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110337921.7 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN113139277A | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫成思;孫日欣;黃健;劉小剛 | 申請（專利權）人： | 深圳佰維存儲科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人： | 歐陽燕明 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 結構 散熱 優(yōu)化 方法 裝置 可讀 存儲 介質 電子設備 | ||
1.一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，包括步驟：
獲取待優(yōu)化的eMCP芯片的多個散熱關鍵因素，根據(jù)所述多個散熱關鍵因素及其對應的多個水平值進行正交實驗，獲得多組熱仿真實驗組合；
根據(jù)每一組所述熱仿真實驗組合建立對應結構的eMCP三維模型；
將每一組所述eMCP三維模型在相同環(huán)境下進行熱仿真并獲取每一組所述eMCP三維模型的芯片最高溫度；
對獲取的所有所述eMCP三維模型的芯片最高溫度進行統(tǒng)計分析，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，所述獲取待優(yōu)化的eMCP芯片的多個散熱關鍵因素包括：
根據(jù)預設的置信度獲取待優(yōu)化的eMCP芯片對應的多個散熱關鍵因素，基于每個所述散熱關鍵因素生成每一個所述散熱關鍵因素對應的多個水平值；
根據(jù)所述多個散熱關鍵因素及其對應的多個水平值進行正交實驗，獲得多組熱仿真實驗組合包括：
根據(jù)每一個所述散熱關鍵因素及其對應的多個水平值生成對應的正交表，根據(jù)所述正交表進行正交實驗，獲得多組熱仿真實驗組合。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，所述根據(jù)每一組所述熱仿真實驗組合建立對應結構的eMCP三維模型包括：
建立熱測試機箱對應的三維模型，在所述熱測試機箱的三維模型中設置測試板；
將所述eMCP三維模型設置在所述測試板上進行測試。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，所述將每一組所述eMCP三維模型在相同環(huán)境下進行熱仿真并獲取每一組所述eMCP三維模型的芯片最高溫度包括：
對每一組所述eMCP三維模型進行網(wǎng)格劃分，在仿真環(huán)境溫度、輻射類型和迭代步數(shù)相同的條件下，對每一所述eMCP三維模型的所有網(wǎng)格施加對應的熱載荷；
當每一組所述eMCP三維模型的溫度穩(wěn)定后，獲取每一組所述eMCP三維模型的溫度云圖；
根據(jù)所述溫度云圖獲取每一組所述eMCP三維模型的芯片最高溫度。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，所述對獲取的所有所述eMCP三維模型的芯片最高溫度進行統(tǒng)計分析，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果包括：
將所有所述eMCP三維模型的芯片最高溫度輸入到所述正交表，對所述正交表進行方差分析，確定顯著影響所述待優(yōu)化的eMCP芯片封裝散熱性能的散熱關鍵因素。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果之后，包括：
對所有所述eMCP三維模型進行極差分析，確定所述多個散熱關鍵因素之間的主次關系。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的一種封裝結構散熱優(yōu)化方法，其特征在于，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果之后，包括：
根據(jù)所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果，獲取所述多個散熱關鍵因素對應的最優(yōu)水平值；
根據(jù)所述多個散熱關鍵因素對應的最優(yōu)水平值建立最優(yōu)eMCP芯片三維模型。
8.一種封裝結構散熱優(yōu)化裝置，其特征在于，包括：
初始化模塊，用于獲取待優(yōu)化的eMCP芯片的多個散熱關鍵因素，根據(jù)所述多個散熱關鍵因素及其對應的多個水平值進行正交實驗，獲得多組熱仿真實驗組合；
模型建立模塊，用于根據(jù)每一組所述熱仿真實驗組合建立對應結構的eMCP三維模型；
數(shù)據(jù)獲取模塊，用于將每一組所述eMCP三維模型在相同環(huán)境下進行熱仿真并獲取每一組所述eMCP三維模型的芯片最高溫度；
分析模塊，用于對獲取的所有所述eMCP三維模型的芯片最高溫度進行統(tǒng)計分析，確定所述多個散熱關鍵因素對所述待優(yōu)化的eMCP芯片散熱性能的影響的分析結果。
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