[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110337758.4
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113178445A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 林大鈞;潘國華;廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

半導體鰭，從襯底突出；

外延源極/漏極(S/D)部件，設置在所述半導體鰭上方；以及

第一介電鰭和第二介電鰭，設置在所述襯底上方，其中，所述半導體鰭設置在所述第一介電鰭和所述第二介電鰭之間，其中，第一氣隙由所述外延源極/漏極部件的第一側壁和所述第一介電鰭包圍，并且其中，第二氣隙由所述外延源極/漏極部件的第二側壁和所述第二介電鰭包圍。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：間隔件，設置在所述外延源極/漏極部件、所述第一介電鰭和所述第二介電鰭的部分上，從而使得所述第一氣隙和所述第二氣隙每個由所述間隔件部分限定。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述間隔件包括具有第一介電常數的第一介電材料，并且所述第一介電鰭和所述第二介電鰭每個包括具有第二介電常數的第二介電材料，并且其中，所述第一介電常數與所述第二介電常數不同。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述第一介電常數大于所述第二介電常數。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：蝕刻停止層，設置在所述外延源極/漏極部件、所述第一介電鰭和所述第二介電鰭上方。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述第一氣隙和所述第二氣隙每個由所述蝕刻停止層部分限定。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：金屬柵極堆疊件，設置在所述半導體鰭的與所述外延源極/漏極部件相鄰的溝道區域上方，其中，所述半導體鰭的所述溝道區域包括與所述金屬柵極堆疊件交錯的半導體層的堆疊件。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，在基本垂直于所述半導體鰭的縱向方向的方向上，所述半導體鰭由第一寬度限定，并且所述第一介電鰭和所述第二介電鰭的每個均由第二寬度限定，并且其中，所述第一寬度與所述第二寬度不同。

9.一種半導體結構，包括：

第一半導體鰭和第二半導體鰭，設置在襯底上方并且沿第一方向縱向取向；

柵極堆疊件，設置在所述第一半導體鰭的第一溝道區域和所述第二半導體鰭的第二溝道區域上方并且沿基本垂直于所述第一方向的第二方向縱向取向，其中，所述第一溝道區域和所述第二溝道區域每個包括與所述柵極堆疊件交錯的多個半導體層；

第一源極/漏極(S/D)部件和第二源極/漏極部件，分別設置在所述第一半導體鰭和所述第二半導體鰭上方；以及

第一介電鰭和第二介電鰭，設置在所述襯底上方并且沿所述第一方向縱向取向，其中，所述第一半導體鰭和所述第二半導體鰭設置在所述第一介電鰭和所述第二介電鰭之間，其中，所述第一介電鰭與所述第一源極/漏極部件形成第一氣隙，并且其中，所述第二介電鰭與所述第二源極/漏極部件形成第二氣隙。

10.一種形成半導體結構的方法，包括：

形成從襯底突出的半導體鰭；

形成與所述半導體鰭相鄰的介電鰭，其中，所述介電鰭基本平行于所述半導體鰭取向；

去除所述半導體鰭的部分以形成源極/漏極(S/D)凹槽；以及

在所述源極/漏極凹槽中形成源極/漏極部件，從而使得源極/漏極部件接觸所述介電鰭的側壁，從而限定氣隙。