[發(fā)明專利]電池充電電路的保護方法、裝置及系統

有效

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• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN112737067B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設計）人: 陳鑫
• 申請（專利權）人: 深圳英集芯科技股份有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

本發(fā)明公開了一種電池充電電路的保護方法、裝置及系統，其中，所述電池充電電路至少包括一個放電晶體管，以及連接在所述放電晶體管的源極和漏極之間體二極管，所述保護方法包括：檢測充電電流的電平高低；當接收到充電電流的高電平時，將所述放電晶體管的柵極置為高電平，導通所述放電晶體管，使流經所述體二極管的電流經所述放電晶體管分流。采用本發(fā)明，可以保護體二極管，保證大功率MOS晶體管不會被燒毀。

技術領域

本發(fā)明涉及鋰電池低電池的充電保護技術，特別是涉及電池充電電路的保護方法、裝置及系統。

背景技術

目前制作晶體管主流技術是采用一種稱為“金氧半場效晶體管” ( Metal-Oxide- Semiconductor Field- Effect Transistor）的技術，可稱MOSFET、MOS 晶體管。MOS 晶體管對外有三個連接：源極(Source)、漏極(Drain) 與柵極(Gate)。MOS 晶體管主要又分成兩種類型，一種為nMOS晶體管、一種為pMOS晶體管。大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有一個寄生二極管，或稱為體二極管。體二極管作用是，當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS晶體管。從而起到保護MOS晶體管的作用。

圖1所示，為一種常見鋰電池保護示意圖，其由鋰電池/低電池BAT、電阻R1和R2、電容C、大功率MOS晶體管CO和DO、鋰電池保護控制芯片組成，其中EB+和EB-接外部充電設備或者接負載。電阻R1和電容C起濾波作用，另外電阻R1還有耐壓保護作用。鋰電池保護控制芯片的CO和DO端分別驅動大功率MOS晶體管CO和DO，VM端為外接負載或者充電裝備的地極，由電阻R2與負載或者充電裝置的地極連接。在大多數芯片應用中，在鋰電池過放后，處于低電壓情況下，此時，EB+和EB-之間接負載，CO端的大功率MOS晶體管導通，DO端的大功率MOS晶體管關閉，電流從BAT正極依次經過EB+，EB-，CO端的大功率MOS晶體管，鋰電池保護控制芯片，最后返回BAT負極；充電時,在BAT電池電壓低于參考電壓VREF時，DO端的大功率MOS晶體不導通，由電流經過體二極管對BAT電池充電。當BAT電池電壓充電至高于參考電壓VREF時，DO端大功率MOS晶體管導通，對電池進行充電。在DO端的大功率MOS晶體管不導通時，如若在低壓條件下，電池阻抗太小，就會出現大電流，此時，體二極管不足以流過承受如此巨大的電流，就會造成體二極管燒毀，即DO端的MOS晶體管被擊穿。

發(fā)明內容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種電池充電電路的保護方法、裝置及系統，能夠保護體二極管，保證大功率MOS晶體管不會被燒毀。

一種電池充電電路的保護方法，其中，所述電池充電電路至少包括一個放電晶體管，以及連接在所述放電晶體管的源極和漏極之間的體二極管，所述保護方法包括：

檢測充電電流的電平高低；

判斷電池電壓與預設的參考電壓的高低；

當電池電壓低于預設的參考電壓、且接收到充電電流的高電平，將放電晶體管的柵極置為高電平，導通放電晶體管，使流經體二極管的電流經放電晶體管分流。

在一個實施例中，判斷電池電壓與預設的參考電壓的高低的步驟之后，還包括：

當所述電池電壓高于所述預設的參考電壓時，將所述放電晶體管的柵極置為低電平。

相應地，一種電池充電電路的保護裝置，其中，所述電池充電電路至少包括一個放電晶體管，以及連接在所述放電晶體管的源極和漏極之間的體二極管，其特征在于，