[發(fā)明專利]電池充電電路的保護(hù)方法、裝置及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110337609.8 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN112737067B | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳英集芯科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 盧澤明 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道西麗社區(qū)打石一*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電池 充電 電路 保護(hù) 方法 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種電池充電電路的保護(hù)裝置，其中，所述電池充電電路至少包括一個放電晶體管，以及連接在所述放電晶體管的源極和漏極之間的體二極管，其特征在于，所述保護(hù)裝置包括：第一電流源I1，所述第一電流源I1接電源電壓VDD與第一NMOS晶體管N1的漏端，第一NMOS晶體管N1的源極接地，第一NMOS晶體管N1的柵極接比較器輸出端，比較器正輸入端接VM，比較器負(fù)輸入端接GND，還包括PMOS晶體管，PMOS晶體管源極接VDD，PMOS晶體管柵極接或門OR輸出端，第二電流源I2的輸入端接PMOS晶體管的漏極，第二電流源I2的輸出端與第二NMOS晶體管N2的漏端連接，第二NMOS晶體管N2的柵極接第一NMOS晶體管N1的漏極，第二NMOS管的源極接DO端，或門OR輸入端分別接ENB和PUN_VM。
2.一種電池充電電路的保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1所述的電池充電電路的保護(hù)裝置；
還包括電池充電電路，所述電池充電電路至少包括一個放電晶體管，以及連接在所述放電晶體管的源極和漏極之間的體二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電池充電電路的保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括：
連接在所述電池充電電路的保護(hù)裝置和所述電池充電電路之間的鋰電池。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電池充電電路的保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
連接在所述電池充電電路的保護(hù)裝置和所述電池充電電路之間的充電晶體管，用于在電池滿充時斷開充電電流。
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