[發(fā)明專利]覆板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110337576.7 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113471101A | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 萬芬;劉衛(wèi)軍 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B05D1/00 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 姜雁琪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及一種覆板,其可以包括覆板坯料和覆蓋于所述覆板坯料的外表面上的涂層。所述覆板坯料可以包括中心區(qū)域和漸縮的邊緣區(qū)域,其中所述漸縮的邊緣區(qū)域相對于所述覆板坯料的長度方向具有不大于20度的平均漸縮角度。在一個實施例中,所述覆板的所述涂層可以通過旋轉(zhuǎn)涂布來施加,并且可以具有位于所述中心區(qū)域內(nèi)的所述涂層表面的平面下方的邊緣珠狀部。本公開還涉及一種形成覆板的方法和一種制造制品的方法。
技術領域
本公開涉及包括涂層的覆板和制造所述覆板的方法。
背景技術
噴墨自適應平坦化(IAP)要求使用其工作表面具有高平坦度的覆板。為了減少缺陷、增加產(chǎn)量并且延長其壽命,為IAP工藝設計的覆板通常涂覆有薄的聚合物膜。涂層通常通過旋轉(zhuǎn)涂布來施加。旋轉(zhuǎn)涂布的經(jīng)常觀察到的問題是涂層的外端部處的厚度增加,也稱為邊緣珠狀部。邊緣珠狀部可能導致生產(chǎn)缺陷或可用于平坦化的總工作面積的減少。已知通過隨后的處理操作來去除邊緣珠狀部,然而,所述處理操作需要額外的工作投入并且可能引入其他缺陷。
需要提高覆板的質(zhì)量,具體地整合如下特性:例如無缺陷的高表面平面度、高生產(chǎn)量下的長壽命和高百分比的實際工作表面積。進一步期望提高制造此類覆板的效率。
發(fā)明內(nèi)容
在一個實施例中,覆板可以包括覆板坯料和覆蓋于所述覆板坯料的外表面上的涂層,其中所述覆板坯料可以包括中心區(qū)域和漸縮的邊緣區(qū)域;所述漸縮的邊緣區(qū)域可以相對于所述覆板坯料的徑向方向具有不大于20度的漸縮角度;并且所述涂層可以覆蓋于所述覆板坯料的整個所述中心區(qū)域和所述漸縮的邊緣區(qū)域的至少一部分上。
在一個方面,所述覆板的所述涂層可以包括位于所述漸縮的邊緣區(qū)域內(nèi)的邊緣珠狀部,其中所述邊緣珠狀部的頂點可以位于所述覆板的所述中心區(qū)域中的所述涂層的外表面的平面下方。
在另一方面,所述覆板坯料的表面積比Sc:St可以是至少15,其中Sc為所述中心區(qū)域的表面積,并且St為所述漸縮的邊緣區(qū)域的表面積。
在另一方面,相對于所述覆板坯料的高度方向,所述覆板坯料的所述外邊緣處的漸縮部從所述覆板坯料的所述中心區(qū)域的所述外表面的水平高度開始的深度Td可以是至少20微米并且不大于400微米。
在另一方面,所述漸縮的邊緣區(qū)域在所述覆板的徑向方向上的長度(Tl)可以是至少1.0mm。
在又一方面,所述覆板坯料在所述中心區(qū)域內(nèi)的平均厚度可以是至少100微米且不大于5000微米。
在另一方面,所述覆板的所述涂層在所述中心區(qū)域內(nèi)的平均厚度可以是至少0.1微米且不大于10微米。
在又一個特定方面,所述漸縮的邊緣區(qū)域可以具有不大于10度的漸縮角度。
在另一個實施例中,形成覆板的方法可以包括:制備包括中心區(qū)域和漸縮的邊緣區(qū)域的覆板坯料,其中所述漸縮的邊緣區(qū)域相對于所述覆板坯料的徑向方向的漸縮角度可以不大于20度;以及將涂層施加在所述覆板坯料的外表面上,其中所述涂層覆蓋于整個所述中心區(qū)域和所述漸縮的邊緣區(qū)域的至少一部分上。
在所述方法的一個方面,在所述覆板坯料上施加所述涂層可以包括旋轉(zhuǎn)涂布。
在所述方法的另一方面,旋轉(zhuǎn)涂布可以包括形成位于所述覆板坯料的所述漸縮的邊緣區(qū)域內(nèi)的邊緣珠狀部。
在一個方面,所述方法還可以包括去除所述邊緣珠狀部。在特定方面,其中去除所述邊緣珠狀部可以包括用溶劑洗滌。
在所述方法的一個方面,所述覆板坯料的表面積比Sc:St可以是至少15,其中Sc為所述中心區(qū)域的表面積,并且St為所述漸縮的邊緣區(qū)域的表面積。
在所述方法的又一方面,旋轉(zhuǎn)涂布可以不包括在所述覆板坯料上形成邊緣珠狀部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





