[發明專利]覆板及其制造方法在審
| 申請號: | 202110337576.7 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113471101A | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發明(設計)人: | 萬芬;劉衛軍 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B05D1/00 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 姜雁琪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 及其 制造 方法 | ||
1.一種覆板,所述覆板包括覆板坯料和覆蓋于所述覆板坯料的外表面上的涂層,其中
所述覆板坯料包括中心區域和漸縮的邊緣區域;
所述漸縮的邊緣區域相對于所述覆板坯料的徑向方向具有不大于20度的平均漸縮角度;并且
所述涂層覆蓋于所述覆板坯料的整個所述中心區域和所述漸縮的邊緣區域的至少一部分上。
2.根據權利要求1所述的覆板,其中,所述涂層包括位于所述漸縮的邊緣區域內的邊緣珠狀部,并且所述邊緣珠狀部的頂點能夠位于所述覆板的所述中心區域中的所述涂層的外表面的平面下方。
3.根據權利要求1所述的覆板,其中,表面積比Sc:St為至少15,其中Sc為所述中心區域的表面積,并且St為所述漸縮的邊緣區域的表面積。
4.根據權利要求1所述的覆板,其中,相對于所述覆板坯料的高度方向,所述覆板坯料的所述外邊緣處的漸縮部從所述覆板坯料的所述中心區域的所述外表面的水平高度開始的深度(Td)是至少20微米并且不大于400微米。
5.根據權利要求1所述的覆板,其中,所述漸縮的邊緣區域(Tl)在徑向方向上的長度為至少1.0mm。
6.根據權利要求1所述的覆板,其中,所述覆板坯料在所述中心區域內的平均厚度為至少100微米且不大于5000微米。
7.根據權利要求1所述的覆板,其中,所述涂層在所述中心區域內的平均厚度為至少0.1微米且不大于10微米。
8.根據權利要求1所述的覆板,其中,所述漸縮的邊緣區域具有不大于10度的漸縮角度。
9.一種形成覆板的方法,所述方法包括:
制備包括中心區域和漸縮的邊緣區域的覆板坯料,其中所述漸縮的邊緣區域相對于所述覆板坯料的徑向方向的漸縮角度不大于20度;以及
在所述覆板坯料的外表面上施加涂層,其中所述涂層覆蓋于整個所述中心區域和所述漸縮的邊緣區域的至少一部分上。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,施加所述涂層包括旋轉涂布。
11.根據權利要求10所述的方法,其中,旋轉涂布包括形成位于所述漸縮的邊緣區域內的邊緣珠狀部。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述邊緣珠狀部的頂點位于所述覆板的所述中心區域中的所述涂層的外表面的平面下方。
13.根據權利要求11所述的方法,所述方法還包括去除所述邊緣珠狀部。
14.一種制造制品的方法,所述方法包括:
在襯底上施加可固化組合物的層;
使所述可固化組合物與覆板接觸,其中所述覆板包括覆板坯料和覆蓋于所述覆板坯料的外表面上的涂層,并且其中
所述覆板坯料包括中心區域和漸縮的邊緣區域;
所述漸縮的邊緣區域相對于所述覆板坯料的長度方向具有不大于20度的漸縮角度;并且
所述涂層覆蓋于所述覆板坯料的整個所述中心區域和所述漸縮的邊緣區域的至少一部分上;
用光或熱固化所述可固化組合物以形成固化層;
從所述固化層上去除所述覆板;以及
處理具有所述固化層的所述襯底以制造所述制品。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





