[發明專利]中間轉印模板的處理方法

在審

• 申請號: 202110336911.1
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113075858A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 李坤;楊海濤;杜凱凱;李行;吾曉;趙東峰;饒軼
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述中間轉印模板包括基底、設于所述基底的聚合物納米結構和磨損后的抗粘層，所述中間轉印模板的處理方法包括以下步驟：

將所述中間轉印模板放于真空室內并抽真空；

向所述真空室內充入保護氣體，其中，所述保護氣體至少包括氧氣；

對所述中間轉印模板進行等離子體處理，以去除所述磨損后的抗粘層。

2.如權利要求1所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述將所述中間轉印模板放于真空室內并抽真空的步驟中，具體包括：

對所述真空室抽真空至所述真空室的壓力范圍值為7Pa～10Pa。

3.如權利要求1所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，在所述向所述真空室內充入保護氣體，其中，所述保護氣體至少包括氧氣的步驟之后，在所述對所述中間轉印模板進行等離子體處理，以去除所述磨損后的抗粘層的步驟之前，還包括：

保持所述真空室的壓力范圍值為25Pa～35Pa。

4.如權利要求1所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述對所述中間轉印模板進行等離子體處理，以去除所述磨損后的抗粘層的步驟，具體包括：

所述等離子處理的時長為25s～40s。

5.如權利要求1所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，在所述對所述中間轉印模板進行等離子體處理，以去除所述磨損后的抗粘層的步驟之后，還包括：

向所述真空室內充入氣體進行破真空處理。

6.如權利要求1至5中任一項所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，在所述對所述中間轉印模板進行等離子體處理，以去除所述磨損后的抗粘層的步驟之后，還包括步驟：

在所述中間轉印模板的表面涂覆新的抗粘層。

7.如權利要求6所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述在所述中間轉印模板的表面涂覆新的抗粘層的步驟，具體包括：

向所述中間轉印模板的表面滴抗粘層溶液后，以第一轉速驅動所述中間轉印模板轉動或靜置第一預設時長；

以第二轉速驅動所述中間轉印模板轉動第二預設時長，其中，所述第一轉速小于所述第二轉速；

在所述中間轉印模板以第二轉速轉動的過程中，向所述中間轉印模板噴灑保濕溶液。

8.如權利要求7所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述在所述中間轉印模板以第二轉速轉動的過程中，向所述中間轉印模板噴灑保濕溶液的步驟，具體包括：

在所述中間轉印模板的中心位置與邊緣位置之間來回噴灑所述保濕溶液。

9.如權利要求7所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，在所述向所述中間轉印模板的表面滴抗粘層溶液后，以第一轉速驅動所述中間轉印模板轉動或靜置第一預設時長的步驟之后，以第二轉速驅動所述中間轉印模板轉動第二預設時長，其中，所述第一轉速小于所述第二轉速的步驟之前，還包括步驟：

驅動所述中間轉印模板以第三轉速轉動第三預設時長，其中，所述第三轉速大于所述第一轉速，小于所述第二轉速。

10.如權利要求7所述的中間轉印模板的處理方法，其特征在于，所述第一預設時長的范圍為20s～30s；和/或，

所述第二預設時長的范圍為20s～30s。