[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110336426.4
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113178392A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 楊昌易;莊博堯;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/498;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/29;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

方法包括：形成包括金屬化圖案的再分布結構；將半導體器件附接到再分布結構的第一側；用第一密封劑密封半導體器件；在第一密封劑中形成開口，開口暴露再分布結構的金屬化圖案；在開口中形成導電材料，包括用導電膏至少部分地填充開口；在形成導電材料之后，將集成器件附接到再分布結構的第二側；用第二密封劑密封集成器件；以及在密封集成器件之后，在導電材料上形成預焊料材料。本申請的實施例還涉及半導體器件及其制造方法。

技術領域

本申請的實施例涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

半導體工業通過不斷減小各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的最小部件尺寸來持續提高其集成密度，從而將更多的組件及更多的功能集成到給定的區域中。具有高功能的集成電路需要許多輸入/輸出焊盤。然而，對于小型化很重要的應用，可能需要小的封裝。

扇出型(Fan Out)封裝技術變得越來越流行，其中，集成電路被封裝在通常包括再分布層的封裝件中，該再分布層用于扇出型封裝件的接觸焊盤的扇出型布線，使得電接觸件可以以比集成電路的接觸焊盤更大的間距制造。這樣得到的封裝結構以相對低的成本和高性能封裝提供了高功能密度。隨著對縮小電子器件的需求的增長，對更小且更具創造性的半導體管芯封裝技術的需求也隨之出現。

發明內容

本申請的一些實施例提供了一種制造半導體器件的方法，包括：形成包括多個金屬化圖案的再分布結構；將半導體器件附接到所述再分布結構的第一側；用第一密封劑密封所述半導體器件；在所述第一密封劑中形成開口，所述開口暴露所述再分布結構的金屬化圖案；在所述開口中形成導電材料，包括用導電膏至少部分地填充所述開口；在形成所述導電材料之后，將集成器件附接到所述再分布結構的第二側；用第二密封劑密封所述集成器件；以及在密封所述集成器件之后，在所述導電材料上形成預焊料材料。

本申請的另一些實施例提供了一種制造半導體器件的方法，包括：形成包括第一金屬化圖案和第二金屬化圖案的再分布結構；將第一組集成器件連接到所述第一金屬化圖案；在所述第一金屬化圖案上形成導電連接件；在所述第一金屬化圖案、所述第一組集成器件和所述導電連接件上方沉積第一模制材料；使用激光鉆孔工藝在所述第一模制材料中形成開口，其中，每個開口暴露導電連接件；在每個開口內和每個導電連接件上形成導電材料；將第二組集成器件連接到所述第二金屬化圖案；以及在所述第二金屬化圖案和所述第二組集成器件上方沉積第二模制材料。

本申請的又一些實施例提供了一種半導體器件，包括：再分布結構，包括第一側和第二側；第一多個器件，附接到所述再分布結構的所述第一側；第一模制材料，在所述再分布結構的所述第一側上并圍繞所述第一多個器件；多個開口，在所述第一模制材料中；多個導電互連件，在所述多個開口中，其中，所述多個導電互連件中的每個導電互連件電連接到所述再分布結構的所述第一側，其中，所述多個導電互連件中的每個導電互連件包括至少部分填充所述多個開口的相應開口的焊膏；第二多個器件，附接到所述再分布結構的所述第二側；以及第二模制材料，在所述再分布結構的所述第二側上并圍繞所述第二多個器件，其中，所述第二模制材料不同于所述第一模制材料。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，從下面的詳細描述可以最好地理解本發明的實施例。應該注意，根據工業中的標準實踐，各種部件未按比例繪制。實際上，為論述清楚，各部件的尺寸可任意放大或縮小。

圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13A、圖13B、圖13C、圖14A、圖14B、圖15A、圖15B、圖15C和圖16示出了根據一些實施例的形成封裝結構的中間步驟的截面圖和平面圖。

圖17、圖18、圖19、圖20、圖21A、圖21B、圖22、圖23、圖24、圖25、圖26A和圖26B示出了根據一些實施例的形成封裝結構的中間步驟的截面圖。

具體實施方式