[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110336426.4
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113178392A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 楊昌易;莊博堯;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/498;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/29;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

形成包括多個金屬化圖案的再分布結構；

將半導體器件附接到所述再分布結構的第一側；

用第一密封劑密封所述半導體器件；

在所述第一密封劑中形成開口，所述開口暴露所述再分布結構的金屬化圖案；

在所述開口中形成導電材料，包括用導電膏至少部分地填充所述開口；

在形成所述導電材料之后，將集成器件附接到所述再分布結構的第二側；

用第二密封劑密封所述集成器件；以及

在密封所述集成器件之后，在所述導電材料上形成預焊料材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一密封劑的熱膨脹系數(CTE)不同于所述第二密封劑的熱膨脹系數。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在密封所述集成器件之后，所述集成器件從所述第二密封劑突出。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一密封劑中形成開口包括執行激光鉆孔工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電膏是銀膏。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述集成器件包括表面安裝器件(SMD)。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括，對所述第一密封劑執行平坦化工藝以暴露所述半導體器件。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一密封劑中形成開口包括執行激光鉆孔工藝。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

形成包括第一金屬化圖案和第二金屬化圖案的再分布結構；

將第一組集成器件連接到所述第一金屬化圖案；

在所述第一金屬化圖案上形成導電連接件；

在所述第一金屬化圖案、所述第一組集成器件和所述導電連接件上方沉積第一模制材料；

使用激光鉆孔工藝在所述第一模制材料中形成開口，其中，每個開口暴露導電連接件；

在每個開口內和每個導電連接件上形成導電材料；

將第二組集成器件連接到所述第二金屬化圖案；以及

在所述第二金屬化圖案和所述第二組集成器件上方沉積第二模制材料。

10.一種半導體器件，包括：

再分布結構，包括第一側和第二側；

第一多個器件，附接到所述再分布結構的所述第一側；

第一模制材料，在所述再分布結構的所述第一側上并圍繞所述第一多個器件；

多個開口，在所述第一模制材料中；

多個導電互連件，在所述多個開口中，其中，所述多個導電互連件中的每個導電互連件電連接到所述再分布結構的所述第一側，其中，所述多個導電互連件中的每個導電互連件包括至少部分填充所述多個開口的相應開口的焊膏；

第二多個器件，附接到所述再分布結構的所述第二側；以及

第二模制材料，在所述再分布結構的所述第二側上并圍繞所述第二多個器件，其中，所述第二模制材料不同于所述第一模制材料。