[發明專利]一種硅基OLED微顯示芯片結構及其增透方法

在審

• 申請號: 202110335576.3
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113097415A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 馮軍龍;喬輝;葉成;祖偉;劉勝芳;趙崢濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張永生

本發明公開了一種硅基OLED微顯示芯片結構及其增透方法，其結構包括依次設置的硅基CMOS驅動電路層、OLED發光層、封裝層以及覆蓋玻璃層，覆蓋玻璃層為減反射玻璃層，減反射玻璃層包括蓋板玻璃和設在蓋板玻璃上的增透膜，所述增透膜在蓋板玻璃上單面或雙面設置。增透方法，包括以下步驟：硅基CMOS驅動電路上蒸鍍有機材料和陰極金屬材料，構成OLED層，將蒸鍍有有機材料和陰極金屬材料的基板傳遞至薄膜封裝設備，進行有機和無機薄膜封裝，構成封裝層；蓋板玻璃和增透膜的材料復合形成增透AR玻璃；在封裝層上覆蓋增透AR玻璃。在蓋板玻璃上形成抗反射膜層，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率將達到98％；從而使硅基OLED微顯示器件具有低反射、高透過的優異性能。

技術領域

本發明涉及硅基OLED微顯示技術領域，尤其是涉及一種硅基OLED微顯示芯片結構及其增透方法。

背景技術

硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極管)微顯示器是一種將主動型發光器件OLED制作在硅基CMOS驅動電路基板上的一種新型顯示技術，已廣泛應用于機戴頭盔、槍瞄、夜視儀等軍用市場，并且在AR/VR市場的應用前景也極其廣泛，被稱為下一代顯示技術的黑馬。

常規的硅基OLED微顯示器件結構主要包含硅基CMOS驅動電路、OLED發光結構，薄膜封裝結構、蓋板玻璃等結構；其中OLED發光結構包含陽極金屬材料，OLED發光材料和陰極金屬材料；陽極金屬和陰極金屬給OLED發光材料提供發光所需要的驅動電壓，OLED發光材料發出的光透過陰極、薄膜封裝和蓋板玻璃，完成顯示的效果。因此需要陰極為透明材料。陰極需要給OLED提供驅動電壓，為了確保OLED發光的均一性，需要陰極材料的電阻盡可能小。目前常用的陰極材料有Ag和Mg/Ag合金。

陰極材料Ag或者Mg/Ag合金的厚度在納米量級時，表現為高透過率的透明材料。但是Ag或者Mg/Ag合金，作為金屬材料，仍具有部分金屬特性，即較高的反射率；因此，以上結構的硅基OLED微顯示器件，在較強的環境光氛圍下，會表現出一定的反射特性，從而影響其顯示效果，然而目前并沒有解決發射特性的方案。

發明內容

針對現有技術不足，本發明是提供一種硅基OLED微顯示芯片結構及其增透方法，其可有效增加硅基OLED微顯示器件的透過率，減小其反射率。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：

一種硅基OLED微顯示芯片結構，包括依次設置的硅基CMOS驅動電路層、OLED發光層、封裝層以及覆蓋玻璃層，所述覆蓋玻璃層為減反射玻璃層，減反射玻璃層包括蓋板玻璃和設在蓋板玻璃上的增透膜，所述增透膜在蓋板玻璃上單面或雙面設置。

所述蓋板玻璃的兩面上均設有單層增透膜，或蓋板玻璃的兩面上設有兩層以上增透膜。

所述蓋板玻璃上的單層增透膜厚度范圍為50nm～500nm。

所述增透膜的材料為SiO、SiN、氟化鎂、二氧化鈦、Al2O3中的部分或全部。

所述蓋板玻璃的上面或下面上設有單層增透膜。

所述蓋板玻璃的上面或下面上設有兩層以上增透膜。

一種所述硅基OLED微顯示芯片結構的增透方法，包括以下步驟：

硅基CMOS驅動電路上蒸鍍有機材料和陰極金屬材料，構成OLED層，將蒸鍍有有機材料和陰極金屬材料的基板傳遞至薄膜封裝設備，進行有機和無機薄膜封裝，構成封裝層；

蓋板玻璃和增透膜的材料復合形成增透AR玻璃；

在封裝層上覆蓋增透AR玻璃。

所述增透膜的材料采用浸鍍或磁控濺射或蒸鍍方式在超白玻璃一面或兩個面上形成抗反射膜層。

本發明與現有技術相比，具有以下優點：