[發明專利]一種硅基OLED微顯示芯片結構及其增透方法在審
| 申請號： | 202110335576.3 | 申請日： | 2021-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN113097415A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 馮軍龍;喬輝;葉成;祖偉;劉勝芳;趙崢濤 | 申請（專利權）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 張永生 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 顯示 芯片 結構 及其 方法 | ||
1.一種硅基OLED微顯示芯片結構，包括依次設置的硅基CMOS驅動電路層、OLED發光層、封裝層以及覆蓋玻璃層，其特征在于：所述覆蓋玻璃層為減反射玻璃層，減反射玻璃層包括蓋板玻璃和設在蓋板玻璃上的增透膜，所述增透膜在蓋板玻璃上單面或雙面設置。
2.如權利要求1所述硅基OLED微顯示芯片結構，其特征在于：所述蓋板玻璃的兩面上均設有單層增透膜，或蓋板玻璃的兩面上設有兩層以上增透膜。
3.如權利要求1所述硅基OLED微顯示芯片結構，其特征在于：所述蓋板玻璃上的單層增透膜厚度范圍為50nm～500nm。
4.如權利要求1所述硅基OLED微顯示芯片結構，其特征在于：所述增透膜的材料為SiO、SiN、氟化鎂、二氧化鈦、Al2O3中的部分或全部。
5.如權利要求1所述硅基OLED微顯示芯片結構，其特征在于：所述蓋板玻璃的上面或下面上設有單層增透膜。
6.如權利要求1所述硅基OLED微顯示芯片結構，其特征在于：所述蓋板玻璃的上面或下面上設有兩層以上增透膜。
7.一種如權利要求1至6任一項所述硅基OLED微顯示芯片結構的增透方法，其特征在于：所述增透方法包括以下步驟：
硅基CMOS驅動電路上蒸鍍有機材料和陰極金屬材料，構成OLED層，將蒸鍍有有機材料和陰極金屬材料的基板傳遞至薄膜封裝設備，進行有機和無機薄膜封裝，構成封裝層；
蓋板玻璃和增透膜的材料復合形成增透AR玻璃；
在封裝層上覆蓋增透AR玻璃。
8.如權利要求7所述增透方法，其特征在于：所述增透膜的材料采用浸鍍或磁控濺射或蒸鍍方式在超白玻璃一面或兩個面上形成抗反射膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
