[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法和顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110334781.8
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113078172B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 汪軍;王海濤;王慶賀;蘇同上;方金鋼;成軍;甘由鵬;周超;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/60;H10K59/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

1.一種顯示基板，包括顯示區(qū)和圍設于所述顯示區(qū)外圍的周邊區(qū)；

所述顯示基板還包括：基底，設置于所述基底上的柵線、靜電環(huán)和第一晶體管；所述柵線由所述顯示區(qū)延伸至所述周邊區(qū)，所述靜電環(huán)和所述第一晶體管位于所述周邊區(qū)；所述第一晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、第一極和第二極；

所述第一極、所述第二極和所述有源層位于所述柵絕緣層的背離所述柵極的一側；

其特征在于，所述柵線、所述柵極和所述靜電環(huán)采用相同材料且同層設置；所述柵線通過開設在所述柵絕緣層中的第一過孔連接所述第一極，所述靜電環(huán)通過開設在所述柵絕緣層中的第二過孔連接所述第二極；

所述第一極和所述第二極在所述基底上的正投影分別位于所述有源層的相對兩邊，且所述第一極和所述第二極分別與所述有源層相對接；所述第一極、所述第二極和所述有源層在所述基底上的正投影沒有交疊；

所述第一過孔位于所述柵絕緣層的與所述第一極在所述基底上的正投影相交疊的區(qū)域中；

所述第二過孔位于所述柵絕緣層的與所述第二極在所述基底上的正投影相交疊的區(qū)域中。

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述有源層采用氧化物半導體材料，所述第一極和所述第二極采用導體化的氧化物半導體材料。

3.根據(jù)權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述柵極位于所述柵絕緣層靠近所述基底的一側；

或者，所述柵極位于所述柵絕緣層背離所述基底的一側。

4.根據(jù)權利要求1-3任意一項所述的顯示基板，其特征在于，所述柵線包括多條；所述第一晶體管包括多個；

每條所述柵線連接兩個所述第一晶體管；

連接同一條所述柵線的兩個所述第一晶體管分別位于所述柵線兩端。

5.根據(jù)權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，還包括多個接地電極，所述多個接地電極均勻分布于所述周邊區(qū)；

所述靜電環(huán)圍繞于所述顯示區(qū)外；

所述靜電環(huán)連接所述接地電極。

6.根據(jù)權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述接地電極與所述柵極采用相同材料且同層設置；

所述顯示基板還包括第二晶體管，所述第二晶體管位于所述接地電極與所述靜電環(huán)之間，且所述第二晶體管與所述第一晶體管的結構相同；

所述接地電極通過開設在所述第二晶體管柵絕緣層中的第三過孔連接所述第二晶體管的第一極，所述靜電環(huán)通過開設在所述第二晶體管柵絕緣層中的第四過孔連接所述第二晶體管的第二極。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-6任意一項所述的顯示基板。

8.一種如權利要求1-6任意一項所述的顯示基板的制備方法，包括：在基底上制備柵線、靜電環(huán)和第一晶體管；制備所述第一晶體管包括制備柵極、柵絕緣層、有源層、第一極和第二極；

所述第一極、所述第二極和所述有源層形成于所述柵絕緣層的背離所述柵極的一側；

其特征在于，通過一次構圖工藝形成包括所述柵線、所述柵極和所述靜電環(huán)的圖形；所述柵線通過開設在所述柵絕緣層中的第一過孔連接所述第一極，所述靜電環(huán)通過開設在所述柵絕緣層中的第二過孔連接所述第二極。

9.根據(jù)權利要求8所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述顯示基板為權利要求2所述的顯示基板；制備所述有源層、所述第一極和所述第二極包括：

在所述柵絕緣層的背離所述柵極的一側沉積形成有源層膜；

采用曝光刻蝕工藝形成所述有源層、所述第一極和所述第二極的圖形；

對所述第一極和所述第二極的圖形進行導體化。